-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTC123JM,315 | NOW NEXPERIA PDTC123JM - SMALL S | NXP USA Inc. | 100mA | 50V | 250mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | DFN1006-3 | 2.2kOhms | 100mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 100 @ 10mA, 5V | 47kOhms | SC-101, SOT-883 | ||
| PDTC114YM315 | NOW NEXPERIA PDTC114YM - SMALL S | NXP USA Inc. | 100mA | 50V | 250mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | DFN1006-3 | 10kOhms | 100mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 100 @ 5mA, 5V | 230MHz | 47kOhms | SC-101, SOT-883 | Automotive, AEC-Q101 |
- 10
- 15
- 50
- 100