-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PEMD48,115 | NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN | NXP Semiconductors | 100mA | 50V | 300mW | Surface Mount | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | SOT-666 | 4.7kOhms, 22kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V | 47kOhms | SOT-563, SOT-666 |
| PEMH13,315 | NOW NEXPERIA PEMH13 - SMALL SIGN | NXP Semiconductors | 100mA | 50V | 300mW | Surface Mount | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | SOT-666 | 4.7kOhms | 100mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 100 @ 10mA, 5V | 47kOhms | SOT-563, SOT-666 |
- 10
- 15
- 50
- 100