• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
FJNS3202RTA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 50V 300mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92S 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
FJNS3215RBU SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 50V 300mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92S 2.2kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 33 @ 10mA, 5V 250MHz 10kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
FJNS3206RTA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 50V 300mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92S 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
FJNS4206RTA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 50V 300mW Through Hole PNP - Pre-Biased TO-92S 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 68 @ 5mA, 5V 200MHz 47kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
FJNS4202RTA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 50V 300mW Through Hole PNP - Pre-Biased TO-92S 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 30 @ 5mA, 5V 200MHz 10kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
FJNS3201RTA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 50V 300mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92S 4.7kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 20 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100