-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJN4309RTA | 0.1A, 40V, PNP, TO-92 | Fairchild Semiconductor | 100mA | 40V | 300mW | Through Hole | PNP - Pre-Biased | TO-92-3 | 4.7kOhms | 300mV @ 1mA, 10mA | 100nA (ICBO) | 100 @ 1mA, 5V | 200MHz | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| FJN3304RTA | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Fairchild Semiconductor | 100mA | 50V | 300mW | Through Hole | NPN - Pre-Biased | TO-92-3 | 47kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA | 100nA (ICBO) | 68 @ 5mA, 5V | 250MHz | 47kOhms | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
- 10
- 15
- 50
- 100