Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 800mA | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 24

PBRN113ES,126

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 700mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2426(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBRP123YS,126

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2424(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2425(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBRP113ZS,126

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBRP123ES,126

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1424TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2427TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1425TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 470Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1423TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1422TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 65 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SD1697-AZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SSIP
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 300mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 1kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2422TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 65 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1427TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: