Найдено: 12416
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение пробоя
Структура
Тип триака
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Voltage - On State (Vtm) (Max)
Ток пробоя
Пиковый ток
Current - Off State (Max)
SCR Type
Серия
TD570N16KOFHPSA2 SCR MODULE 1600V 900A MODULE Infineon Technologies Module Chassis Mount 1.6kV 900A 125°C Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 600A 2.2V 250mA 17000A @ 50Hz 300mA
T430N18TOFXPSA1 SCR MODULE 1800V 700A DO200AA Infineon Technologies TO-200AA Chassis Mount 1.8kV 700A -40°C ~ 125°C Single 1 SCR 433A 2V 200mA 5200A @ 50Hz 300mA
MCMA65P1800TA SCR MODULE 1.8KV 65A TO240AA IXYS TO-240AA Chassis Mount 1.8kV 120A -40°C ~ 140°C (TJ) Series Connection - All SCRs 2 SCRs 65A 1.5V 95mA 1150A, 1240A 200mA
Q8010R5TP TRIAC 800V 10A TO220 Littelfuse Inc. TO-220-3 Through Hole Single 800V 10A -40°C ~ 125°C (TJ) TO-220 Non-Isolated Tab Standard 1.3V 50mA 100A, 120A 50mA
QK016LH6TP ALTNSTR 1000V 16A 80-80-80 MA TO Littelfuse Inc. TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Through Hole Single 1kV 16A -40°C ~ 125°C (TJ) ITO-220AB Alternistor - Snubberless 1.3V 80mA 167A, 200A 70mA Qxx16xHx
S8X5ECS1AP SEN SCR 800V 0.5A 30 UA TO92WB Littelfuse Inc.
JAN2N2329A SCR 400V TO5 Microsemi Corporation TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Through Hole 400V -65°C ~ 125°C TO-5 220mA 600mV 20µA 2mA Sensitive Gate Military, MIL-PRF-19500/276
2N6071ATG 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 20 onsemi TO-225AA, TO-126-3 Through Hole Single 200V 4A -40°C ~ 110°C (TJ) TO-225-3 Logic - Sensitive Gate 2.5V 5mA 30A @ 60Hz 15mA
C180DX500 SCR 400V 300A TO93 Powerex Inc. TO-209AB, TO-93-4, Stud Chassis, Stud Mount 400V 300A -40°C ~ 125°C 190A 3V 150mA 5000A, 5500A 2.85V 20mA Standard Recovery
5P4M(5)-AZ 600V, 8A, THYRISTOR Rochester Electronics, LLC
VS-ST173S10PFP1 SCR 1KV 275A TO209AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-209AB, TO-93-4, Stud Chassis, Stud Mount 1kV 275A -40°C ~ 125°C TO-209AB (TO-93) 175A 3V 200mA 3940A, 4120A 600mA 2.07V 40mA Standard Recovery
VS-111RKI40 SCR 400V 172A TO209AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-209AC, TO-94-4, Stud Chassis, Stud Mount 400V 172A -40°C ~ 125°C TO-209AC (TO-94) 110A 2V 120mA 1750A, 1830A 200mA 1.57V 20mA Standard Recovery
VS-ST700C12L1 SCR 1.2KV 1857A B-PUK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-200AC, B-PUK Chassis Mount 1.2kV 1857A -40°C ~ 125°C TO-200AC, B-PUK 910A 3V 200mA 13200A, 13800A 600mA 1.8V 80mA Standard Recovery
ACT108-800EQP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 WeEn Semiconductors TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Through Hole Single 800V 800mA 125°C (TJ) TO-92-3 Logic - Sensitive Gate 1V 10mA 13A, 14.3A 20mA
BT258-500R,127 SCR 500V 8A TO220AB WeEn Semiconductors TO-220-3 Through Hole 500V 8A -40°C ~ 125°C TO-220AB 5A 1.5V 200µA 75A, 82A 6mA 1.6V 500µA Sensitive Gate

Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.

Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.


Справочная информация по основным параметрам:

Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Peak Output (Пиковый ток) — Максимальный ток, который может пропустить через себя диак без потери работоспособности.
Current - Breakover (Ток пробоя) — Ток пробоя диака — это минимальный ток, необходимый для перехода устройства в проводящее состояние. Другими словами, это минимальный ток, который должен протекать через диак при достижении напряжения пробоя, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Voltage - Breakover (Напряжение пробоя) — Напряжение лавинообразования диака — это минимальное напряжение, при котором диак переключается из состояния блокировки в состояние проводимости. Как только этот порог напряжения достигнут, диак начинает проводить ток в любом направлении. Это напряжение указано как для положительного, так и для отрицательного направления и имеет решающее значение для определения условий работы диака в цепи.