-
- Напряжение пробоя
- Структура
- Тип триака
- Number of SCRs, Diodes
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Voltage - On State (Vtm) (Max)
- Ток пробоя
- Пиковый ток
- Current - Off State (Max)
- SCR Type
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Вид монтажа
|
Конфигурация
|
Напряжение в закрытом состоянии
|
Ток в открытом сост. (Макс)
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Напряжение пробоя
|
Структура
|
Тип триака
|
Number of SCRs, Diodes
|
Current - On State (It (AV)) (Max)
|
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
|
Отпирающий ток
|
Ударный ток
|
Ток удержания
|
Voltage - On State (Vtm) (Max)
|
Ток пробоя
|
Пиковый ток
|
Current - Off State (Max)
|
SCR Type
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TD570N16KOFHPSA2 | SCR MODULE 1600V 900A MODULE | Infineon Technologies | Module | Chassis Mount | 1.6kV | 900A | 125°C | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 600A | 2.2V | 250mA | 17000A @ 50Hz | 300mA | ||||||||||
T430N18TOFXPSA1 | SCR MODULE 1800V 700A DO200AA | Infineon Technologies | TO-200AA | Chassis Mount | 1.8kV | 700A | -40°C ~ 125°C | Single | 1 SCR | 433A | 2V | 200mA | 5200A @ 50Hz | 300mA | ||||||||||
MCMA65P1800TA | SCR MODULE 1.8KV 65A TO240AA | IXYS | TO-240AA | Chassis Mount | 1.8kV | 120A | -40°C ~ 140°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 65A | 1.5V | 95mA | 1150A, 1240A | 200mA | ||||||||||
Q8010R5TP | TRIAC 800V 10A TO220 | Littelfuse Inc. | TO-220-3 | Through Hole | Single | 800V | 10A | -40°C ~ 125°C (TJ) | TO-220 Non-Isolated Tab | Standard | 1.3V | 50mA | 100A, 120A | 50mA | ||||||||||
QK016LH6TP | ALTNSTR 1000V 16A 80-80-80 MA TO | Littelfuse Inc. | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Through Hole | Single | 1kV | 16A | -40°C ~ 125°C (TJ) | ITO-220AB | Alternistor - Snubberless | 1.3V | 80mA | 167A, 200A | 70mA | Qxx16xHx | |||||||||
S8X5ECS1AP | SEN SCR 800V 0.5A 30 UA TO92WB | Littelfuse Inc. | ||||||||||||||||||||||
JAN2N2329A | SCR 400V TO5 | Microsemi Corporation | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Through Hole | 400V | -65°C ~ 125°C | TO-5 | 220mA | 600mV | 20µA | 2mA | Sensitive Gate | Military, MIL-PRF-19500/276 | |||||||||||
2N6071ATG | 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 20 | onsemi | TO-225AA, TO-126-3 | Through Hole | Single | 200V | 4A | -40°C ~ 110°C (TJ) | TO-225-3 | Logic - Sensitive Gate | 2.5V | 5mA | 30A @ 60Hz | 15mA | ||||||||||
C180DX500 | SCR 400V 300A TO93 | Powerex Inc. | TO-209AB, TO-93-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 400V | 300A | -40°C ~ 125°C | 190A | 3V | 150mA | 5000A, 5500A | 2.85V | 20mA | Standard Recovery | ||||||||||
5P4M(5)-AZ | 600V, 8A, THYRISTOR | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||||||||||
VS-ST173S10PFP1 | SCR 1KV 275A TO209AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-209AB, TO-93-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 1kV | 275A | -40°C ~ 125°C | TO-209AB (TO-93) | 175A | 3V | 200mA | 3940A, 4120A | 600mA | 2.07V | 40mA | Standard Recovery | ||||||||
VS-111RKI40 | SCR 400V 172A TO209AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-209AC, TO-94-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 400V | 172A | -40°C ~ 125°C | TO-209AC (TO-94) | 110A | 2V | 120mA | 1750A, 1830A | 200mA | 1.57V | 20mA | Standard Recovery | ||||||||
VS-ST700C12L1 | SCR 1.2KV 1857A B-PUK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-200AC, B-PUK | Chassis Mount | 1.2kV | 1857A | -40°C ~ 125°C | TO-200AC, B-PUK | 910A | 3V | 200mA | 13200A, 13800A | 600mA | 1.8V | 80mA | Standard Recovery | ||||||||
ACT108-800EQP | TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 | WeEn Semiconductors | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Through Hole | Single | 800V | 800mA | 125°C (TJ) | TO-92-3 | Logic - Sensitive Gate | 1V | 10mA | 13A, 14.3A | 20mA | ||||||||||
BT258-500R,127 | SCR 500V 8A TO220AB | WeEn Semiconductors | TO-220-3 | Through Hole | 500V | 8A | -40°C ~ 125°C | TO-220AB | 5A | 1.5V | 200µA | 75A, 82A | 6mA | 1.6V | 500µA | Sensitive Gate |
- 10
- 15
- 50
- 100
Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.
Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.