- Производитель
- Напряжение в закрытом состоянии
- Ток в открытом сост. (Макс)
- Тип корпуса
-
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Voltage - On State (Vtm) (Max)
- Current - Off State (Max)
- SCR Type
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Вид монтажа
|
Напряжение в закрытом состоянии
|
Ток в открытом сост. (Макс)
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Current - On State (It (AV)) (Max)
|
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
|
Отпирающий ток
|
Ударный ток
|
Ток удержания
|
Voltage - On State (Vtm) (Max)
|
Current - Off State (Max)
|
SCR Type
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S8X5ECS1AP | SEN SCR 800V 0.5A 30 UA TO92WB | Littelfuse Inc. | |||||||||||||||
JAN2N2329A | SCR 400V TO5 | Microsemi Corporation | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Through Hole | 400V | -65°C ~ 125°C | TO-5 | 220mA | 600mV | 20µA | 2mA | Sensitive Gate | Military, MIL-PRF-19500/276 | ||||
NTE314 | SCR-SI P-GATE PWR REG/SW | NTE Electronics, Inc | |||||||||||||||
C180DX500 | SCR 400V 300A TO93 | Powerex Inc. | TO-209AB, TO-93-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 400V | 300A | -40°C ~ 125°C | 190A | 3V | 150mA | 5000A, 5500A | 2.85V | 20mA | Standard Recovery | |||
T72H123564DN | SCR 1.2KV 550A T72 | Powerex Inc. | SC-20, Stud | Stud Mount | 1.2kV | 550A | -40°C ~ 125°C | T-72 | 350A | 3V | 150mA | 7000A @ 60Hz | 3.15V | 35mA | Standard Recovery | ||
T607041584BT | SCR 400V 235A TO93 | Powerex Inc. | TO-209AB, TO-93-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 400V | 235A | -40°C ~ 125°C | TO-93 | 150A | 3V | 150mA | 4000A @ 60Hz | 2.1V | 25mA | Standard Recovery | ||
CR8CM-12A-A8#P01 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||
5P4M(5)-AZ | 600V, 8A, THYRISTOR | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||||||
40TPS12 | SCR 1.2KV 55A TO247AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-247-3 | Through Hole | 1.2kV | 55A | -40°C ~ 125°C | TO-247AC | 35A | 2.5V | 150mA | 600A @ 50Hz | 150mA | 1.85V | 500µA | Standard Recovery | |
VS-ST083S12MFK0LP | SCR 1.2KV 135A TO209AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-209AC, TO-94-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 1.2kV | 135A | -40°C ~ 125°C | TO-209AC (TO-94) | 85A | 3V | 200mA | 2060A, 2160A | 600mA | 2.15V | 30mA | Standard Recovery | |
VS-111RKI40 | SCR 400V 172A TO209AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-209AC, TO-94-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 400V | 172A | -40°C ~ 125°C | TO-209AC (TO-94) | 110A | 2V | 120mA | 1750A, 1830A | 200mA | 1.57V | 20mA | Standard Recovery | |
VS-ST173S10PFP1 | SCR 1KV 275A TO209AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-209AB, TO-93-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 1kV | 275A | -40°C ~ 125°C | TO-209AB (TO-93) | 175A | 3V | 200mA | 3940A, 4120A | 600mA | 2.07V | 40mA | Standard Recovery | |
VS-ST700C12L1 | SCR 1.2KV 1857A B-PUK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-200AC, B-PUK | Chassis Mount | 1.2kV | 1857A | -40°C ~ 125°C | TO-200AC, B-PUK | 910A | 3V | 200mA | 13200A, 13800A | 600mA | 1.8V | 80mA | Standard Recovery | |
VS-ST1200C20K1P | SCR 2KV 3080A A24 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-200AC, K-PUK, A-24 | Chassis Mount | 2kV | 3080A | -40°C ~ 125°C | A-24 (K-Puk) | 1650A | 3V | 200mA | 25700A, 26900A | 600mA | 1.73V | 100mA | Standard Recovery | |
BT258-500R,127 | SCR 500V 8A TO220AB | WeEn Semiconductors | TO-220-3 | Through Hole | 500V | 8A | -40°C ~ 125°C | TO-220AB | 5A | 1.5V | 200µA | 75A, 82A | 6mA | 1.6V | 500µA | Sensitive Gate |
- 10
- 15
- 50
- 100
SCR — Кремниевый управляемый выпрямитель или полупроводниковый управляемый выпрямитель представляет собой четырехслойное твердотельное устройство регулирования тока. По сути своей это тиристор. Название «кремниевый выпрямитель» является торговым названием General Electric для этого типа компонентов.
Некоторые источники определяют кремниевые выпрямители и тиристоры как синонимы, в то время как другие источники определяют кремниевые выпрямители как правильное подмножество набора тиристоров; последние представляют собой устройства как минимум с четырьмя слоями чередующихся материалов n- и p-типа.
Справочная информация по основным параметрам:
Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) —
Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) —
Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) —
Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) —
Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) —
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) —
Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.