• Напряжение пробоя
    • Структура
    • Тип триака
    • Number of SCRs, Diodes
    • Current - On State (It (AV)) (Max)
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс)
    • Отпирающий ток
    • Ударный ток
    • Ток удержания
    • Voltage - On State (Vtm) (Max)
    • Ток пробоя
    • Пиковый ток
    • Current - Off State (Max)
    • SCR Type
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 12416
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение пробоя
Структура
Тип триака
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Voltage - On State (Vtm) (Max)
Ток пробоя
Пиковый ток
Current - Off State (Max)
SCR Type
Серия
T12M35T600B THYRISTOR TO220AB TUBE 50PCS Diodes Incorporated
MCD224-20IO1 MOD THYRISTOR/DIODE 2000V Y1-CU IXYS Y1-CU Chassis Mount 2kV 400A -40°C ~ 140°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 240A 2V 150mA 8000A, 8500A 200mA
S4010DTP SCR 400V 10A TO252 Littelfuse Inc. TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Surface Mount 400V 10A -40°C ~ 125°C TO-252, (D-Pak) 6.4A 1.5V 15mA 83A, 100A 30mA 1.6V 10µA Standard Recovery
L2008D6RP TRIAC SENS GATE 200V 8A TO252 Littelfuse Inc. TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Surface Mount Single 200V 8A -40°C ~ 110°C (TJ) TO-252, (D-Pak) Logic - Sensitive Gate 1.3V 5mA 65A, 85A 10mA
L401E6RP TRIAC SENS GATE 400V 1A TO92 Littelfuse Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Through Hole Single 400V 1A -65°C ~ 125°C (TJ) TO-92 Logic - Sensitive Gate 1.3V 5mA 16.7A, 20A 10mA
JAN2N2324A SCR 100V TO5 Microsemi Corporation TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Through Hole 100V -65°C ~ 125°C TO-5 220mA 600mV 20µA 2mA Sensitive Gate Military, MIL-PRF-19500/276
MAC9MG TRIAC, 600V, 8A, TO-220AB onsemi TO-220-3 Through Hole Single 600V 8A -40°C ~ 125°C (TJ) TO-220AB Standard 1.5V 50mA 80A @ 60Hz 50mA
MAC8D THYRISTOR TRIAC 8A 400V TO220AB onsemi TO-220-3 Through Hole Single 400V 8A TO-220 Standard 1.5V 35mA 80A @ 60Hz 40mA
CR5AS-12-BTL#F00 SILICON CONTROLLED RECTIFIER Renesas Electronics America Inc
SST08K-800SW 800V 8A PACKAGE DPAK 3-QUADRANTS SMC Diode Solutions TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Surface Mount Single 800V 8A -40°C ~ 125°C (TJ) DPAK Standard 1.5V 10mA 80A @ 50Hz 20mA
TN1515-600B-TR SCR 600V 15A DPAK STMicroelectronics TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Surface Mount 600V 15A -40°C ~ 125°C DPAK 9.5A 1.3V 15mA 150A, 165A 40mA 1.6V 5µA Standard Recovery
VS-111RKI120PBF SCR 1.2KV 172A TO209AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-209AC, TO-94-4, Stud Chassis, Stud Mount 1.2kV 172A -40°C ~ 125°C TO-209AC (TO-94) 110A 2V 120mA 1750A, 1830A 200mA 1.57V 20mA Standard Recovery
VSKL170-16D25 SCR 1600-2500V 170A MAGN-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3-MAGN-A-PAK™ Chassis Mount 1.6kV 377A Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 170A 3V 200mA 5100A, 5350A 500mA
BTA312-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB WeEn Semiconductors TO-220-3 Through Hole Single 800V 12A 125°C (TJ) TO-220AB Standard 1.5V 50mA 95A, 105A 60mA
Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 WeEn Semiconductors TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Through Hole Single 800V 1A 125°C (TJ) TO-92-3 Logic - Sensitive Gate 1.3V 3mA 8A, 8.5A 7mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.

Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.


Справочная информация по основным параметрам:

Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Peak Output (Пиковый ток) — Максимальный ток, который может пропустить через себя диак без потери работоспособности.
Current - Breakover (Ток пробоя) — Ток пробоя диака — это минимальный ток, необходимый для перехода устройства в проводящее состояние. Другими словами, это минимальный ток, который должен протекать через диак при достижении напряжения пробоя, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Voltage - Breakover (Напряжение пробоя) — Напряжение лавинообразования диака — это минимальное напряжение, при котором диак переключается из состояния блокировки в состояние проводимости. Как только этот порог напряжения достигнут, диак начинает проводить ток в любом направлении. Это напряжение указано как для положительного, так и для отрицательного направления и имеет решающее значение для определения условий работы диака в цепи.