• Напряжение пробоя
    • Структура
    • Тип триака
    • Number of SCRs, Diodes
    • Current - On State (It (AV)) (Max)
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс)
    • Отпирающий ток
    • Ударный ток
    • Ток удержания
    • Voltage - On State (Vtm) (Max)
    • Ток пробоя
    • Пиковый ток
    • Current - Off State (Max)
    • SCR Type
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 12416
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение пробоя
Структура
Тип триака
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Voltage - On State (Vtm) (Max)
Ток пробоя
Пиковый ток
Current - Off State (Max)
SCR Type
Серия
TZ400N20KOFHPSA1 SCR MODULE 2KV 1050A MODULE Infineon Technologies Module Chassis Mount 2kV 1050A -40°C ~ 125°C Single 1 SCR 670A 2.2V 250mA 13000A @ 50Hz 300mA
MCO740-20IO1 SCR THYRISTOR SGL 2000V WC-800 IXYS WC-501 Chassis Mount 2kV Single 1 SCR
Q6016RH657 TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO220 Littelfuse Inc. TO-220-3 Formed Leads Through Hole Single 600V 16A -40°C ~ 125°C (TJ) TO-220AB Alternistor - Snubberless 1.3V 80mA 167A, 200A 70mA
Q8008LH4 TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220 Littelfuse Inc. TO-220-3 Isolated Tab Through Hole Single 800V 8A -40°C ~ 125°C (TJ) TO-220 Isolated Tab Alternistor - Snubberless 1.3V 35mA 83A, 100A 35mA
T707023344BY SCR 200V 500A T70 Powerex Inc. DO-200AB, B-PUK Stud Mount 200V 500A -40°C ~ 125°C T-70 325A 3V 150mA 8000A @ 60Hz 1.4V 30mA Standard Recovery
T507084084AQ SCR 800V 63A TO94 Powerex Inc. TO-209AC, TO-94-4, Stud Stud Mount 800V 63A -40°C ~ 125°C TO-94 40A 3V 150mA 1000A @ 60Hz 4.2V 15mA Standard Recovery
CM4208A2 SCR MOD PWR-BLK 800V 25A Powerex Inc. POW-R-BLOK™ Module Chassis Mount 800V 39A -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 25A 3V 50mA 445A, 490A
CD621615B SCR MOD DUAL 1600V 150A Powerex Inc. POW-R-BLOK™ Module Chassis Mount 1.6kV 250A -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 160A 2V 150mA 4870A, 5100A 150mA
VS-VSKH91/08 MODULE THYRISTOR 95A ADD-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division ADD-A-PAK (3 + 4) Chassis Mount 800V 210A -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 95A 2.5V 150mA 2000A, 2094A 250mA
VS-ST180S12P1V SCR 1.2KV 314A TO209AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-209AB, TO-93-4, Stud Chassis, Stud Mount 1.2kV 314A -40°C ~ 125°C TO-209AB (TO-93) 200A 3V 150mA 4200A, 4400A 600mA 1.75V 30mA Standard Recovery
IRKT57/08A SCR DBL 2SCR 800V 55A ADD-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division ADD-A-PAK (3 + 4) Chassis Mount 800V 135A -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - All SCRs 2 SCRs 60A 2.5V 150mA 1310A, 1370A 200mA
VSKLF200-04HK SCR DBL HISCR 400V 200A MAGNAPAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3-MAGN-A-PAK™ Chassis Mount 400V 444A -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 200A 3V 200mA 7600A, 8000A 600mA
IRKU41/08A SCR CC 2SCR 800V 40A ADD-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division ADD-A-PAK (3 + 4) Chassis Mount 800V 70A -40°C ~ 125°C (TJ) Common Cathode - All SCRs 2 SCRs 45A 2.5V 150mA 850A, 890A 200mA
BTA416Y-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB WeEn Semiconductors TO-220-3 Isolated Tab Through Hole Single 800V 16A 150°C (TJ) TO-220AB Standard 1.5V 35mA 160A, 176A 35mA
BTA312-800CT,127 TRIAC 800V 12A TO-220AB WeEn Semiconductors TO-220-3 Through Hole Single 800V 12A 150°C (TJ) TO-220AB Standard 1V 35mA 100A, 110A 35mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.

Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.


Справочная информация по основным параметрам:

Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Peak Output (Пиковый ток) — Максимальный ток, который может пропустить через себя диак без потери работоспособности.
Current - Breakover (Ток пробоя) — Ток пробоя диака — это минимальный ток, необходимый для перехода устройства в проводящее состояние. Другими словами, это минимальный ток, который должен протекать через диак при достижении напряжения пробоя, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Voltage - Breakover (Напряжение пробоя) — Напряжение лавинообразования диака — это минимальное напряжение, при котором диак переключается из состояния блокировки в состояние проводимости. Как только этот порог напряжения достигнут, диак начинает проводить ток в любом направлении. Это напряжение указано как для положительного, так и для отрицательного направления и имеет решающее значение для определения условий работы диака в цепи.