• Напряжение пробоя
    • Структура
    • Тип триака
    • Number of SCRs, Diodes
    • Current - On State (It (AV)) (Max)
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс)
    • Отпирающий ток
    • Ударный ток
    • Ток удержания
    • Voltage - On State (Vtm) (Max)
    • Ток пробоя
    • Пиковый ток
    • Current - Off State (Max)
    • SCR Type
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 12416
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение пробоя
Структура
Тип триака
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Voltage - On State (Vtm) (Max)
Ток пробоя
Пиковый ток
Current - Off State (Max)
SCR Type
Серия
CS218-35M SCR 600V 35A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 Through Hole 600V 35A -40°C ~ 125°C TO-218 1.5V 50mA 400A @ 100Hz 75mA 2.2V 20µA Standard Recovery
SHRDIN933M10X23HPSA1 SCR MODULE POWERBLOCK Infineon Technologies
TZ530N32KOFHPSA1 SCR MODULE 3.2KV 1500A MODULE Infineon Technologies Module Chassis Mount 3.2kV 1500A -40°C ~ 125°C Single 1 SCR 955A 2V 250mA 22A @ 50Hz 500mA
S8012VTP SCR 800V 12A TO251 Littelfuse Inc. TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Through Hole 800V 12A -40°C ~ 125°C TO-251 (V-Pak/I-Pak) 7.6A 1.5V 20mA 100A, 120A 40mA 1.6V 20µA Standard Recovery
Q8010NH5RP TRIAC ALTERNISTOR 800V 10A TO263 Littelfuse Inc. TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Surface Mount Single 800V 10A -40°C ~ 125°C (TJ) TO-263 (D2Pak) Alternistor - Snubberless 1.3V 50mA 110A, 120A 50mA
SJ6020LATP SCR 600V 20A TO220L Littelfuse Inc. TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Through Hole 600V 20A -40°C ~ 150°C (TJ) ITO-220AB 12.8A 1.5V 35mA 225A, 300A 75mA 1.6V 10µA Standard Recovery SJ
L601E6RP TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92 Littelfuse Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Through Hole Single 600V 1A -65°C ~ 125°C (TJ) TO-92 Logic - Sensitive Gate 1.3V 5mA 16.7A, 20A 10mA
C436PD SCR 1400V 400A TO200AB Powerex Inc. Standard Recovery
T850H-6G-TR TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK STMicroelectronics TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Surface Mount Single 600V 8A -40°C ~ 150°C (TJ) D2PAK Alternistor - Snubberless 1V 50mA 80A, 84A 75mA Snubberless™
ACS108-5SA-AP TRIAC SENS GATE 500V 0.8A TO92-3 STMicroelectronics TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Through Hole Single 500V 800mA -30°C ~ 125°C (TJ) TO-92-3 Logic - Sensitive Gate 1V 10mA 7.3A, 8A 25mA ACS™/A.S.D®
ACS108-5SA-TR TRIAC SENS GATE 500V 0.8A TO92-3 STMicroelectronics TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Through Hole Single 500V 800mA -30°C ~ 125°C (TJ) TO-92-3 Logic - Sensitive Gate 1V 10mA 7.3A, 8A 25mA ACS™/A.S.D®
VS-ST183C08CFN1 SCR 800V 690A A-PUK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-200AB, A-PUK Chassis Mount 800V 690A -40°C ~ 125°C TO-200AB, A-PUK 370A 3V 200mA 4120A, 4310A 600mA 1.8V 40mA Standard Recovery
VS-ST730C18L1 SCR 1.8KV 2000A B-PUK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-200AC, B-PUK Chassis Mount 1.8kV 2000A -40°C ~ 125°C TO-200AC, B-PUK 990A 3V 200mA 15000A, 15700A 600mA 1.62V 80mA Standard Recovery
VS-70TPS16PBF SCR 1.6KV 75A SUPER-247 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-274AA Through Hole 1.6kV 75A -40°C ~ 125°C SUPER-247™ (TO-274AA) 70A 1.5V 100mA 1400A @ 50Hz 200mA 1.4V 1mA Standard Recovery
BTA316-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB WeEn Semiconductors TO-220-3 Through Hole Single 800V 16A 150°C (TJ) TO-220AB Logic - Sensitive Gate 1.5V 10mA 140A, 150A 15mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.

Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.


Справочная информация по основным параметрам:

Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Peak Output (Пиковый ток) — Максимальный ток, который может пропустить через себя диак без потери работоспособности.
Current - Breakover (Ток пробоя) — Ток пробоя диака — это минимальный ток, необходимый для перехода устройства в проводящее состояние. Другими словами, это минимальный ток, который должен протекать через диак при достижении напряжения пробоя, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Voltage - Breakover (Напряжение пробоя) — Напряжение лавинообразования диака — это минимальное напряжение, при котором диак переключается из состояния блокировки в состояние проводимости. Как только этот порог напряжения достигнут, диак начинает проводить ток в любом направлении. Это напряжение указано как для положительного, так и для отрицательного направления и имеет решающее значение для определения условий работы диака в цепи.