• Напряжение пробоя
    • Структура
    • Тип триака
    • Number of SCRs, Diodes
    • Current - On State (It (AV)) (Max)
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс)
    • Отпирающий ток
    • Ударный ток
    • Ток удержания
    • Voltage - On State (Vtm) (Max)
    • Ток пробоя
    • Пиковый ток
    • Current - Off State (Max)
    • SCR Type
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 12416
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение пробоя
Структура
Тип триака
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Voltage - On State (Vtm) (Max)
Ток пробоя
Пиковый ток
Current - Off State (Max)
SCR Type
Серия
TD250N14KOFHPSA1 SCR MODULE 1800V 410A MODULE Infineon Technologies Module Chassis Mount 1.8kV 410A -40°C ~ 125°C Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 250A 2V 200mA 8000A @ 50Hz 300mA
CS30-16IO1 SCR 1.6KV 49A TO247AD IXYS TO-247-3 Through Hole 1.6kV 49A -40°C ~ 150°C TO-247AD 30A 1V 55mA 400A, 430A 100mA 1.63V 50µA Standard Recovery
CLB30I1200PZ-TUB SCR 1.2KV 47A TO263 IXYS TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Surface Mount 1.2kV 47A -40°C ~ 150°C (TJ) TO-263HV 30A 1.3V 30mA 300A, 325A 60mA 1.3V Standard Recovery CLB30I1200PZ
N5910FA420 SCR 4.2KV W118 IXYS TO-200AF Chassis Mount 4.2kV W118 5910A 78000A @ 50Hz Standard Recovery
S4008VS3 SCR 400V 8A TO251 Littelfuse Inc. TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Through Hole 400V 8A -40°C ~ 110°C TO-251 (V-Pak/I-Pak) 5.1A 800mV 500µA 83A, 100A 8mA 1.6V 5µA Sensitive Gate
HS4040RAQ3TP SCR 400V 40A TO220AB Littelfuse Inc. TO-220-3 Through Hole 400V 40A -40°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB 25A 1.5V 65mA 430A, 520A 200mA 1.8V 10µA Standard Recovery Automotive, AEC-Q101, Teccor®
S4010L SCR 400V 10A TO220 Littelfuse Inc. TO-220-3 Isolated Tab Through Hole 400V 10A -40°C ~ 125°C TO-220 Isolated Tab 6.4A 1.5V 15mA 83A, 100A 30mA 1.6V 10µA Standard Recovery
S4X8TS1RP SCR 400V 800MA SOT223 Littelfuse Inc. TO-261-4, TO-261AA Surface Mount 400V 800mA -40°C ~ 125°C SOT-223 510mA 800mV 5µA 8A, 10A 5mA 1.7V 3µA Sensitive Gate
2N2323 SCR 50V TO5 Microchip Technology TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Through Hole 50V -65°C ~ 125°C TO-5 220mA 800mV 200µA 2mA Sensitive Gate Military, MIL-PRF-19500/276
TYN16-600RT127 SILICON CONTROLLED RECTIFIER - T NXP USA Inc.
C782LC THYRISTOR DISC 2300V 2300A TBK Powerex Inc. TO-200AF Chassis Mount 2.3kV 3610A -40°C ~ 125°C (TJ) Single 1 SCR 2300A 4.5V 250mA 32000A, 35000A
T727084574DN SCR 800V 700A T72 Powerex Inc. SC-20, Stud Stud Mount 800V 700A -40°C ~ 125°C T-72 450A 3V 150mA 8000A @ 60Hz 1.45V 30mA Standard Recovery
B512FS-2 MOD DIODE SCR 25A 240VAC ISO QC Sensata-Crydom Module with Isolation Barriers Chassis Mount 600V -40°C ~ 125°C (TJ) Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) 2 SCRs, 2 Diodes 2.5V 60mA 250A @ 60Hz B-2
VS-ST1200C16K0 SCR 1.6KV 3080A A24 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-200AC, K-PUK, A-24 Chassis Mount 1.6kV 3080A -40°C ~ 125°C A-24 (K-Puk) 1650A 3V 200mA 30500A, 32000A 600mA 1.73V 100mA Standard Recovery
BTA330-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220AB WeEn Semiconductors TO-220-3 Through Hole Single 800V 30A 150°C (TJ) TO-220AB Standard 1.3V 50mA 270A, 297A 75mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.

Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.


Справочная информация по основным параметрам:

Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Peak Output (Пиковый ток) — Максимальный ток, который может пропустить через себя диак без потери работоспособности.
Current - Breakover (Ток пробоя) — Ток пробоя диака — это минимальный ток, необходимый для перехода устройства в проводящее состояние. Другими словами, это минимальный ток, который должен протекать через диак при достижении напряжения пробоя, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Voltage - Breakover (Напряжение пробоя) — Напряжение лавинообразования диака — это минимальное напряжение, при котором диак переключается из состояния блокировки в состояние проводимости. Как только этот порог напряжения достигнут, диак начинает проводить ток в любом направлении. Это напряжение указано как для положительного, так и для отрицательного направления и имеет решающее значение для определения условий работы диака в цепи.