-
- Напряжение пробоя
- Структура
- Тип триака
- Number of SCRs, Diodes
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Voltage - On State (Vtm) (Max)
- Ток пробоя
- Пиковый ток
- Current - Off State (Max)
- SCR Type
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Вид монтажа
|
Конфигурация
|
Напряжение в закрытом состоянии
|
Ток в открытом сост. (Макс)
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Напряжение пробоя
|
Структура
|
Тип триака
|
Number of SCRs, Diodes
|
Current - On State (It (AV)) (Max)
|
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
|
Отпирающий ток
|
Ударный ток
|
Ток удержания
|
Voltage - On State (Vtm) (Max)
|
Ток пробоя
|
Пиковый ток
|
Current - Off State (Max)
|
SCR Type
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIC246M-S | TRIAC 600V 16A TO220 | Bourns Inc. | TO-220-3 | Through Hole | Single | 600V | 16A | -40°C ~ 110°C (TC) | TO-220 | Standard | 2V | 50mA | 125A @ 50Hz | 40mA | ||||||||||
CS3P-40M | TRIAC 40A 600V TO-3 | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||||||
VHFD29-08IO1 | RECT BRIDGE 1PH 800V V1-A-PAK | IXYS | V1A-PAK | Chassis Mount | 800V | -40°C ~ 125°C (TJ) | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) | 2 SCRs, 4 Diodes | 28A | 1V | 65mA | 300A, 330A | 100mA | |||||||||||
MCMA110P1600VA | SCR MODULE 1.6KV 110A MODULE | IXYS | Module | Chassis Mount | 1.6kV | 170A | -40°C ~ 140°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 110A | 1.5V | 150mA | 1900A, 2050A | 200mA | ||||||||||
S6040RTP | SCR 600V 40A TO220AB-R | Littelfuse Inc. | TO-220-3 | Through Hole | 600V | 40A | -40°C ~ 125°C | TO-220AB-R | 25A | 1.5V | 40mA | 430A, 520A | 60mA | 1.8V | 10µA | Standard Recovery | ||||||||
Q6016LH651 | TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO220 | Littelfuse Inc. | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads | Through Hole | Single | 600V | 16A | -40°C ~ 125°C (TJ) | TO-220 Isolated Tab | Alternistor - Snubberless | 1.3V | 80mA | 167A, 200A | 70mA | ||||||||||
Q2008DH4RP | TRIAC ALTERNISTOR 200V 8A TO252 | Littelfuse Inc. | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Surface Mount | Single | 200V | 8A | -40°C ~ 125°C (TJ) | TO-252, (D-Pak) | Alternistor - Snubberless | 1.3V | 35mA | 80A, 85A | 35mA | ||||||||||
C45S | SCR 700V 50A TO83 | Powerex Inc. | Standard Recovery | |||||||||||||||||||||
T5071440B4AQ | SCR 1.4KV 63A TO94 | Powerex Inc. | TO-209AC, TO-94-4, Stud | Stud Mount | 1.4kV | 63A | -40°C ~ 125°C | TO-94 | 40A | 3V | 150mA | 1000A @ 60Hz | 4.2V | 15mA | Standard Recovery | |||||||||
CR12FM-12B#BH0 | SCR 600V 18.8A TO220FPA | Renesas Electronics America Inc | TO-220-3 Full Pack | Through Hole | 600V | 18.8A | -40°C ~ 150°C (TJ) | TO-220FPA | 12A | 1.5V | 30mA | 360A @ 60Hz | 15mA | 1.6V | 2mA | Standard Recovery | ||||||||
2P6M(BY)-AZ | THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V | Renesas Electronics America Inc | ||||||||||||||||||||||
BTA41-600BRG | TRIAC 600V 40A TOP3 | STMicroelectronics | TOP-3 Insulated | Through Hole | Single | 600V | 40A | -40°C ~ 125°C (TJ) | TOP3 | Standard | 1.3V | 50mA | 400A, 420A | 80mA | ||||||||||
VS-110RKI120PBF | SCR 1.2KV 172A TO209AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-209AC, TO-94-4, Stud | Chassis, Stud Mount | 1.2kV | 172A | -40°C ~ 125°C | TO-209AC (TO-94) | 110A | 2V | 120mA | 1750A, 1830A | 200mA | 1.57V | 20mA | Standard Recovery | ||||||||
VS-P103 | MOD BRIDGE CC 25A 800V D-19 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 8-PACE-PAK | Chassis Mount | 800V | -40°C ~ 125°C (TJ) | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) | 2 SCRs, 2 Diodes | 2V | 60mA | 357A, 375A | 130mA | ||||||||||||
VS-VSKT142/08PBF | MODULE THYRISTOR 145A INT-A-PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | INT-A-Pak | Chassis Mount | 800V | 310A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 140A | 2.5V | 150mA | 4500A, 4712A | 200mA |
- 10
- 15
- 50
- 100
Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.
Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.