• Напряжение пробоя
    • Структура
    • Тип триака
    • Number of SCRs, Diodes
    • Current - On State (It (AV)) (Max)
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс)
    • Отпирающий ток
    • Ударный ток
    • Ток удержания
    • Voltage - On State (Vtm) (Max)
    • Ток пробоя
    • Пиковый ток
    • Current - Off State (Max)
    • SCR Type
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 12416
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение пробоя
Структура
Тип триака
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Voltage - On State (Vtm) (Max)
Ток пробоя
Пиковый ток
Current - Off State (Max)
SCR Type
Серия
K2000GURP SIDAC 190-210V 1A UNI DO-15 Littelfuse Inc. DO-204AC, DO-15, Axial -40°C ~ 125°C (TJ) DO-204AC (DO-15) 190 ~ 210V 80mA 10µA 1A
Q8010L4 TRIAC 800V 10A TO220 Littelfuse Inc. TO-220-3 Isolated Tab Through Hole Single 800V 10A -40°C ~ 125°C (TJ) TO-220 Isolated Tab Standard 1.3V 25mA 100A, 120A 35mA
NTE314 SCR-SI P-GATE PWR REG/SW NTE Electronics, Inc
LD421050 SCR MOD ISO DUAL 1000V 500A Powerex Inc. POW-R-BLOK™ Module Chassis Mount 1kV 785A -40°C ~ 130°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 500A 3V 200mA 16300A, 17000A
T72H123564DN SCR 1.2KV 550A T72 Powerex Inc. SC-20, Stud Stud Mount 1.2kV 550A -40°C ~ 125°C T-72 350A 3V 150mA 7000A @ 60Hz 3.15V 35mA Standard Recovery
T607041584BT SCR 400V 235A TO93 Powerex Inc. TO-209AB, TO-93-4, Stud Chassis, Stud Mount 400V 235A -40°C ~ 125°C TO-93 150A 3V 150mA 4000A @ 60Hz 2.1V 25mA Standard Recovery
CR8CM-12A-A8#P01 SILICON CONTROLLED RECTIFIER Renesas Electronics America Inc
BCR16CM-12LB-J6B01 NON-INSULATED TYPE TRIAC Renesas Electronics America Inc
40TPS12 SCR 1.2KV 55A TO247AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-247-3 Through Hole 1.2kV 55A -40°C ~ 125°C TO-247AC 35A 2.5V 150mA 600A @ 50Hz 150mA 1.85V 500µA Standard Recovery
VS-VSKV26/04 MODULE THYRISTOR 27A ADD-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division ADD-A-PAK (3 + 4) Chassis Mount
VS-ST1200C20K1P SCR 2KV 3080A A24 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-200AC, K-PUK, A-24 Chassis Mount 2kV 3080A -40°C ~ 125°C A-24 (K-Puk) 1650A 3V 200mA 25700A, 26900A 600mA 1.73V 100mA Standard Recovery
VS-ST083S12MFK0LP SCR 1.2KV 135A TO209AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-209AC, TO-94-4, Stud Chassis, Stud Mount 1.2kV 135A -40°C ~ 125°C TO-209AC (TO-94) 85A 3V 200mA 2060A, 2160A 600mA 2.15V 30mA Standard Recovery
BTA316X-800C/L01Q BTA316X-800C/L01/TO-220F/STAND WeEn Semiconductors TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Through Hole Single 800V 16A 125°C (TJ) TO-220F Standard 1V 35mA 140A, 150A 35mA
BTA204X-1000C,127 TRIAC 1KV 4A TO220F WeEn Semiconductors TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Through Hole Single 1kV 4A 125°C (TJ) TO-220F Standard 1.5V 35mA 25A, 27A 20mA
BTA225B-800BTJ BTA225B-800BT/D2PAK/REEL 13" Q WeEn Semiconductors TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Surface Mount Single 800V 25A 150°C (TJ) D2PAK Standard 1V 50mA 190A, 209A 60mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Тиристоры — Класс полупроводниковых приборов, построенных на основе многослойной структуры разной проводимости (p-n-p-n), не менее 4-х слоев. Тиристор имеет два состояния - открытое и закрытое. Переход в открытое состояние может быть управляемым (тринисторы) и неуправляемым (динисторы). Особенностью вольт-амперной характеристики тиристоров является наличие участка с отрицательным сопротивлением, нахождение в котором, однако, стараются избегать. Это состояние неустойчиво и стремится перейти в открытое состояние. В открытом состоянии тиристоры ведут себя подобно диодам. Для перехода тиристора в закрытое состояние требуется снизить напряжение на его выводах практически до нуля, что создает определенные трудности в схемах с постоянным однополярным питанием. При переменном напряжении питания тиристор закроется автоматически на отрицательной полуволне.

Область применения тиристоров связана со схемами коммутации, они помогают решить задачи бесконтактной коммутации нагрузок или участков схем. К недостаткам можно отнести высокое выделение тепла под нагрузкой.


Справочная информация по основным параметрам:

Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Peak Output (Пиковый ток) — Максимальный ток, который может пропустить через себя диак без потери работоспособности.
Current - Breakover (Ток пробоя) — Ток пробоя диака — это минимальный ток, необходимый для перехода устройства в проводящее состояние. Другими словами, это минимальный ток, который должен протекать через диак при достижении напряжения пробоя, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Voltage - Breakover (Напряжение пробоя) — Напряжение лавинообразования диака — это минимальное напряжение, при котором диак переключается из состояния блокировки в состояние проводимости. Как только этот порог напряжения достигнут, диак начинает проводить ток в любом направлении. Это напряжение указано как для положительного, так и для отрицательного направления и имеет решающее значение для определения условий работы диака в цепи.