Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
CY7C1360C-200BGC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 200MHz Volatile 9Mb (256K x 36) 3.135V ~ 3.6V SRAM - Synchronous, SDR 0°C ~ 70°C (TA) 119-PBGA (14x22) 119-BGA 3ns Parallel
S70KL1281DABHI023 IC PSRAM 128MBIT PARALLEL 24FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount PSRAM 100MHz Volatile 128Mb (16M x 8) 2.7V ~ 3.6V PSRAM (Pseudo SRAM) -40°C ~ 85°C (TA) 24-FBGA (6x8) 24-VBGA 40ns Parallel HyperRAM™ KL
S25HS512TFAMHV010 NOR FLASH NOR Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 166MHz Non-Volatile 512Mb (64M x 8) 1.7V ~ 2V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C (TA) 16-SOIC 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) SPI - Quad I/O, QPI HS-T
IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount SRAM 200MHz Volatile 4.5Mb (256K x 18) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR -40°C ~ 85°C (TA) 165-PBGA (13x15) 165-TBGA 3.1ns Parallel
IS49NLS96400-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 300MHz Volatile 576Mb (64M x 9) 1.7V ~ 1.9V DRAM -40°C ~ 85°C (TA) 144-FCBGA (11x18.5) 144-TFBGA 20ns Parallel
IS46TR16128AL-15HBLA1-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 667MHz Volatile 2Gb (128M x 16) 1.283V ~ 1.45V SDRAM - DDR3 -40°C ~ 95°C (TC) 96-TWBGA (9x13) 96-TFBGA 20ns Parallel 15ns
MX25U4035FM1I IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP Macronix Surface Mount FLASH 108MHz Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 1.65V ~ 2V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SPI - Quad I/O 100µs, 4ms MXSMIO™
24AA64SC-I/WF16K IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ DIE Microchip Technology Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 64Kb (8K x 8) 1.7V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) Die Die 900ns I²C 5ms
AT24C04-10PI IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP Microchip Technology Through Hole EEPROM 400kHz Non-Volatile 4Kb (512 x 8) 4.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-PDIP 8-DIP (0.300", 7.62mm) 900ns I²C 5ms
25AA640AT-E/MNY IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8TDFN Microchip Technology Surface Mount EEPROM 10MHz Non-Volatile 64Kb (8K x 8) 1.8V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 125°C (TA) 8-TDFN (2x3) 8-WFDFN Exposed Pad SPI 5ms
25LC1024-I/MF IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8DFN Microchip Technology Surface Mount EEPROM 20MHz Non-Volatile 1Mb (128K x 8) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-DFN-S (6x5) 8-VDFN Exposed Pad SPI 6ms
AT24C64W-10SC-1.8 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC Microchip Technology Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 64Kb (8K x 8) 1.8V ~ 5.5V EEPROM 0°C ~ 70°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 900ns I²C 10ms
MT35XL256ABA2G12-0AAT IC FLASH 256MBIT XCCELA 24TPBGA Micron Technology Inc. Surface Mount FLASH 133MHz Non-Volatile 256Mb (32M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C 24-T-PBGA (6x8) 24-TBGA Xccela Bus Xccela™ - MT35X
MT55V512V32PT-5 ZBT SRAM, 512KX32, 3.2NS PQFP100 Micron Technology Inc.
BR24T02NUX-WTR IC EEPROM 2KBIT I2C VSON008X2030 Rohm Semiconductor Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 2Kb (256 x 8) 1.6V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) VSON008X2030 8-UFDFN Exposed Pad I²C 5ms

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.