- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CY7C1360C-200BGC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 200MHz | Volatile | 9Mb (256K x 36) | 3.135V ~ 3.6V | SRAM - Synchronous, SDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 119-PBGA (14x22) | 119-BGA | 3ns | Parallel | ||
S70KL1281DABHI023 | IC PSRAM 128MBIT PARALLEL 24FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | PSRAM | 100MHz | Volatile | 128Mb (16M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | PSRAM (Pseudo SRAM) | -40°C ~ 85°C (TA) | 24-FBGA (6x8) | 24-VBGA | 40ns | Parallel | HyperRAM™ KL | |
S25HS512TFAMHV010 | NOR FLASH NOR | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 166MHz | Non-Volatile | 512Mb (64M x 8) | 1.7V ~ 2V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C (TA) | 16-SOIC | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | SPI - Quad I/O, QPI | HS-T | ||
IS61NLP25618A-200B3LI-TR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | SRAM | 200MHz | Volatile | 4.5Mb (256K x 18) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 165-PBGA (13x15) | 165-TBGA | 3.1ns | Parallel | ||
IS49NLS96400-33BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 300MHz | Volatile | 576Mb (64M x 9) | 1.7V ~ 1.9V | DRAM | -40°C ~ 85°C (TA) | 144-FCBGA (11x18.5) | 144-TFBGA | 20ns | Parallel | ||
IS46TR16128AL-15HBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 667MHz | Volatile | 2Gb (128M x 16) | 1.283V ~ 1.45V | SDRAM - DDR3 | -40°C ~ 95°C (TC) | 96-TWBGA (9x13) | 96-TFBGA | 20ns | Parallel | 15ns | |
MX25U4035FM1I | IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP | Macronix | Surface Mount | FLASH | 108MHz | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 1.65V ~ 2V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOP | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SPI - Quad I/O | 100µs, 4ms | MXSMIO™ | |
24AA64SC-I/WF16K | IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ DIE | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 64Kb (8K x 8) | 1.7V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | Die | Die | 900ns | I²C | 5ms | |
AT24C04-10PI | IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP | Microchip Technology | Through Hole | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 4Kb (512 x 8) | 4.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-PDIP | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 900ns | I²C | 5ms | |
25AA640AT-E/MNY | IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8TDFN | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 10MHz | Non-Volatile | 64Kb (8K x 8) | 1.8V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 125°C (TA) | 8-TDFN (2x3) | 8-WFDFN Exposed Pad | SPI | 5ms | ||
25LC1024-I/MF | IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8DFN | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 20MHz | Non-Volatile | 1Mb (128K x 8) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-DFN-S (6x5) | 8-VDFN Exposed Pad | SPI | 6ms | ||
AT24C64W-10SC-1.8 | IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 64Kb (8K x 8) | 1.8V ~ 5.5V | EEPROM | 0°C ~ 70°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | 900ns | I²C | 10ms | |
MT35XL256ABA2G12-0AAT | IC FLASH 256MBIT XCCELA 24TPBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | FLASH | 133MHz | Non-Volatile | 256Mb (32M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C | 24-T-PBGA (6x8) | 24-TBGA | Xccela Bus | Xccela™ - MT35X | ||
MT55V512V32PT-5 | ZBT SRAM, 512KX32, 3.2NS PQFP100 | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||
BR24T02NUX-WTR | IC EEPROM 2KBIT I2C VSON008X2030 | Rohm Semiconductor | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 2Kb (256 x 8) | 1.6V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | VSON008X2030 | 8-UFDFN Exposed Pad | I²C | 5ms |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.