• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 63748
  • AT29C256-70PC
    IC FLASH 256KBIT PARALLEL 28DIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TC)
    • Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
    • Тип корпуса: 28-PDIP
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
    • Технология: FLASH
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Время доступа: 70ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 10ms
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CY7C1325S-100AXI
    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 100MHz
    • Время доступа: 8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 24LC02BHT-E/LT
    IC EEPROM 2KBIT I2C SC70-5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    • Тип корпуса: SC-70-5
    • Напряжение питания: 2.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 2Kb (256 x 8)
    • Технология: EEPROM
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 400kHz
    • Время доступа: 900ns
    • Формат памяти: EEPROM
    • Время цикла записи - слово, страница: 5ms
    • Интерфейс: I²C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W77M26FJWFIE TR
    SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT,
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
    • Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 32Mb (4M x 8)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 104MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 71V3559S80BG
    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 119-BGA
    • Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W631GG6KB-11 TR
    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-WBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 933MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CY7C1372SV25-167AXC
    ZBT SRAM, 1MX18, 3.4NS
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
    • Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 3.4ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 7026L20JI8
    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
    • Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 256Kb (16K x 16)
    • Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 20ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S29GL512S11TFI020
    IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: GL-S
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
    • Тип корпуса: 56-TSOP
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Время доступа: 110ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 60ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS49NLC18320-33BLI
    IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 144-TFBGA
    • Тип корпуса: 144-FCBGA (11x18.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 576Mb (32M x 18)
    • Технология: DRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 300MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PC28F640P30B85D TR
    IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: StrataFlash™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 64-TBGA
    • Тип корпуса: 64-EasyBGA (10x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 52MHz
    • Время доступа: 85ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 85ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N2M400HDB321A3CE
    IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 100-LBGA
    • Тип корпуса: 100-LBGA (14x18)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Gb (16G x 8)
    • Технология: FLASH - NAND
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 52MHz
    • Формат памяти: FLASH
    • Интерфейс: MMC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S29GL256P10FAI022
    IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: GL-P
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 64-LBGA
    • Тип корпуса: 64-FBGA (13x11)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Время доступа: 100ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 100ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • QS7024A-20J
    MULTI-PORT SRAM, 4KX16, 20NS
    Quality Semiconductor
    • Производитель: Quality Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IDT71V65803S133PF8
    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 4.2ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.