- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOJ
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 12ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: FL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 24-TBGA
- Тип корпуса: 24-BGA (6x8)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: SPI - Quad I/O
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Adesto Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (256 Bytes x 512 pages)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 66MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 4ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-LFBGA (11x13)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 200µs
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 2.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 1Kb (128 x 8 , 64 x 16)
- Технология: EEPROM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3MHz
- Формат памяти: EEPROM
- Время цикла записи - слово, страница: 6ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: Automotive, AEC-Q100, FL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 24-TBGA
- Тип корпуса: 24-BGA (8x6)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: SPI - Quad I/O
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
- Объем памяти: 16Kb (2K x 8)
- Технология: EEPROM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 400kHz
- Время доступа: 900ns
- Формат памяти: EEPROM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ms
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TC)
- Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
- Тип корпуса: 32-PLCC (13.97x11.43)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: EEPROM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 90ns
- Формат памяти: EEPROM
- Время цикла записи - слово, страница: 10ms
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 32-DIP (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-PDIP
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 120ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 50µs
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 450MHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 200-VFBGA
- Тип корпуса: 200-VFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.1V
- Объем памяти: 32Gb (1G x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 2133MHz
- Формат памяти: DRAM
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.