• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
DS2430AD/T&R IC EEPROM 256B 1-WIRE 4FLIPCHIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated Surface Mount EEPROM Non-Volatile 256b (32 x 8) EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 4-FlipChip (2.39x1.73) 4-UBGA, FCBGA 15µs 1-Wire®
AT25040A-10TQ-2.7 EEPROM, 512X8, SERIAL, CMOS Atmel Surface Mount EEPROM 20MHz Non-Volatile 4Kb (512 x 8) 2.7V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 125°C (TA) 8-TSSOP 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) SPI 5ms
CY7C1370DV25-167CKJ SYNC RAM Cypress Semiconductor Corp SRAM 167MHz Volatile 18Mb (512K x 36) 2.375V ~ 2.625V SRAM - Synchronous, SDR -40°C ~ 85°C (TA) 3.4ns Parallel NoBL™
S29GL064S80FHIS23 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH Non-Volatile 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 64-FBGA (13x11) 64-LBGA 80ns Parallel 60ns Automotive, AEC-Q100, GL-S
CY7C1415AV18-250BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 250MHz Volatile 36Mb (1M x 36) 1.7V ~ 1.9V SRAM - Synchronous, QDR II+ 0°C ~ 70°C (TA) 165-FBGA (15x17) 165-LBGA Parallel
IS43R16320F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 167MHz Volatile 512Mb (32M x 16) 2.3V ~ 2.7V SDRAM - DDR -40°C ~ 85°C (TA) 66-TSOP II 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 700ps Parallel 15ns
SST39SF040-45-4I-WHE-T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP Microchip Technology Surface Mount FLASH Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 4.5V ~ 5.5V FLASH -40°C ~ 85°C (TA) 32-TSOP 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 45ns Parallel 20µs SST39 MPF™
AT49F002-70VC IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32VSOP Microchip Technology Surface Mount FLASH Non-Volatile 2Mb (256K x 8) 4.5V ~ 5.5V FLASH 0°C ~ 70°C (TC) 32-VSOP 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 70ns Parallel 50µs
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR IC FLASH 2G SPI 63VFBGA Micron Technology Inc. Surface Mount FLASH Non-Volatile 2Gb (2G x 1) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NAND -40°C ~ 85°C (TA) 63-VFBGA (9x11) 63-VFBGA SPI
EDBM432B3PF-1D-F-R TR IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 533MHz Volatile 12Gb (384M x 32) 1.14V ~ 1.95V SDRAM - Mobile LPDDR2 -30°C ~ 85°C (TC) 168-FBGA (12x12) 168-VFBGA Parallel
R1LP0408DSB-5SI#B1 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Surface Mount SRAM Volatile 4Mb (512K x 8) 4.5V ~ 5.5V SRAM -40°C ~ 85°C (TA) 32-TSOP II 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 55ns Parallel 55ns
70V06S45PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 128Kb (16K x 8) 3V ~ 3.6V SRAM - Dual Port, Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 64-TQFP (14x14) 64-LQFP 45ns Parallel 45ns
IDT71V424L10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 4Mb (512K x 8) 3V ~ 3.6V SRAM - Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 36-SOJ 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 10ns Parallel 10ns
CY7C1360B-200AJC CACHE SRAM, 256KX36, 3NS Rochester Electronics, LLC
BR24T02NUX-WGTR IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030 Rohm Semiconductor Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 2Kb (256 x 8) 1.6V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) VSON008X2030 8-UFDFN Exposed Pad I²C 5ms
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.