Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 143MHz

Найдено: 637
  • 16MB, SDR SDRAM, 133MHZ T&R
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 50-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: LVTTL
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90LFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-LFBGA
    • Тип корпуса: 90-LFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 50-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-VFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: