• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • VS-6ESH01HM3/86A
    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
    • Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 6A
    • Прямое напряжение: 940mV @ 6A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 22ns
    • Ток утечки: 2µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ES1PD-M3/85A
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-220AA
    • Тип корпуса: DO-220AA (SMP)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 920mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 5µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1SMA4763HR3G
    DIODE ZENER 91V 1.25W DO214AC
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Ток утечки: 1µA @ 69.2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    • Напряжение стабилизации: 91V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 250 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DAP202UMTL
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-85
    • Тип корпуса: UMD3F
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 70V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HVC375BTRF-E
    VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SZNZ8F13VMX2WT5G
    13V ZENER STANDARD TOLERANCE IN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, NZ8F
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 2-XDFN
    • Тип корпуса: 2-X2DFNW (1x0.6)
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 10V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Напряжение стабилизации: 13V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 37 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-43CTQ100GPBF
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 980mV @ 40A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 20A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GBPC1506
    BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: QC Terminal
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-Square, GBPC
    • Тип корпуса: GBPC
    • Тип диода: Single Phase
    • Средний выпрямленный ток (Io): 15A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 7.5A
    • Ток утечки: 5µA @ 600V
    • Технология: Standard
    • Обратное пиковое напряжение: 600V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAT5403WE6327HTSA1
    DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-76, SOD-323
    • Тип корпуса: PG-SOD323-2
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA (DC)
    • Прямое напряжение: 800mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 2µA @ 25V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GP10-4003-E3/54
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX1N977BUR-1/TR
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/117
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 500nA @ 36V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 47V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 105 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MURH10040R
    DIODE GEN PURP 400V 100A D-67
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D-67
    • Тип корпуса: D-67
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 90ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MB158W-BP
    BRIDGE RECT 1P 800V 15A MB-35W
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 4-Square, MB-35W
    • Тип корпуса: MB-35W
    • Тип диода: Single Phase
    • Средний выпрямленный ток (Io): 15A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 7.5A
    • Ток утечки: 10µA @ 800V
    • Технология: Standard
    • Обратное пиковое напряжение: 800V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDS5518CUR-1
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CD4134
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 10nA @ 69.16V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 91V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 1200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.