• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CMZ5941B BK PBFREE DIODE ZENER 47V 500MW SMA Central Semiconductor Corp DO-214AC, SMA Surface Mount ±5% SMA -65°C ~ 150°C 500mW 47V 67 Ohms 1µA @ 35.8V 1.5V @ 200mA
DZ23C51-7-F DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23-3 Diodes Incorporated TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±5% SOT-23-3 1 Pair Common Cathode -65°C ~ 150°C 300mW 51V 100 Ohms
CDLL5235A/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology DO-213AB, MELF Surface Mount ±10% DO-213AB -65°C ~ 175°C 10mW 6.8V 5 Ohms 3µA @ 5V 1.1V @ 200mA
LSM340GE3/TR13 DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO215AB Microsemi Corporation DO-215AB, SMC Gull Wing 3A Schottky Surface Mount DO-215AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 40V 520mV @ 3A 40V -55°C ~ 150°C
JANTX1N6631U DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Microsemi Corporation SQ-MELF, E 1.4A Standard Surface Mount D-5B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4µA @ 1000V 1.4V @ 1.4A 1000V 60ns -65°C ~ 150°C Military, MIL-PRF-19500/590
JANTX1N4106-1 DIODE ZENER 12V 500MW DO35 Microsemi Corporation DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 -65°C ~ 175°C 500mW 12V 200 Ohms 50nA @ 9.2V 1.1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/435
1N4930 DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 Microsemi Corporation DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 -25°C ~ 100°C 500mW 19.2V 36 Ohms
BZB84-C4V7,215 DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23 Nexperia USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±5% TO-236AB 1 Pair Common Anode 300mW 4.7V 80 Ohms 3µA @ 2V 900mV @ 10mA
BZX84-C22/DG/B4R DIODE ZENER 22.05V 250MW TO236AB Nexperia USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±5% TO-236AB -65°C ~ 150°C (TJ) 250mW 22.05V 55 Ohms 50nA @ 15.4V 900mV @ 10mA Automotive, AEC-Q101
PZM5.1NB2A,115 DIODE ZENER 5.1V 220MW SMT3 NXP USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±2% SMT3; MPAK 220mW 5.1V 60 Ohms 3µA @ 1.5V 1.1V @ 100mA
CD411699C DIODE MODULE 1.6KV 100A Powerex Inc. Module Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 8mA @ 1600V 1600V -40°C ~ 150°C 1 Pair Series Connection 100A
PAB2LD431250 3-PHASE AC SWITCH ASSEMBLY Powerex Inc.
RB085B-40GTL DIODE SCHOTTKY SSOP3 Rohm Semiconductor
STPS30L30DJF-TR DIODE SCHOTTKY 30V 30A POWERFLAT STMicroelectronics 8-PowerVDFN 30A Schottky Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 750µA @ 30V 510mV @ 30A 30V 150°C (Max)
MMBZ5248B-G3-08 DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±5% SOT-23-3 -55°C ~ 150°C 225mW 18V 21 Ohms 100nA @ 14V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.