• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
Найдено: 167143
  • DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, G
    • Тип корпуса: G-MELF (D-5C)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 37.7A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 10µA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Прямое напряжение: 470mV @ 5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Прямое напряжение: 730mV @ 7.5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 50µA @ 60V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 7.5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 4.3V 5W E AXIAL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: E, Axial
    • Тип корпуса: E, Axial
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
    • Ток утечки: 25µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 4.3V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 500 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 82V 3W DO214AA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DO-214AA, SMB
    • Тип корпуса: DO-214AA (SMB)
    • Ток утечки: 1µA @ 62.2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 3W
    • Напряжение стабилизации: 82V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 160 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247AD
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD (TO-3P)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 300V
    • Прямое напряжение: 1V @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 10µA @ 300V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 180V 10W DO213AA
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-213AA
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 2A
    • Ток утечки: 10µA @ 136.8V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 10W
    • Напряжение стабилизации: 180V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 260 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/308
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 300V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 50A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 150ns
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 82V 1W DO204AL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 5µA @ 62.2V
    • Допуск: ±10%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 82V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 47V 1.5W SMA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: SMA
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 500nA @ 35.8V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Напряжение стабилизации: 47V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 67 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 100nA @ 2V
    • Допуск: ±1%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 6.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AA, SMB
    • Тип корпуса: SMB
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 75ns
    • Ток утечки: 3µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 27V 800MW SUB SMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 20V
    • Допуск: ±7.03%
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Напряжение стабилизации: 27V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 6.4V 0.25W
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 68V 1W SOT89
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Прямое напряжение: 1V @ 50mA
    • Ток утечки: 50nA @ 47.6V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 68V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 240 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.