• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • 1N5272BUR-1
    ZENER DIODE
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MUR160AHR1G
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 5µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZX84-C30,215
    NEXPERIA BZX84-C30 - ZENER DIODE
    NXP Semiconductors
    • Производитель: NXP Semiconductors
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 50nA @ 21V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Напряжение стабилизации: 30V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UPS115U/TR7
    DIODE SCHOTTKY 15V 1A POWERMITE
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-216AA
    • Тип корпуса: Powermite
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 15V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 220mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10mA @ 15V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN1N3029BUR-1
    DIODE ZENER 24V 1W DO213AB
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/115
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
    • Тип корпуса: DO-213AB (MELF, LL41)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 10µA @ 18.2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 24V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RSFJLHRVG
    DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 500mA
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 500mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 250ns
    • Ток утечки: 5µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR30150CTHC0G
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Прямое напряжение: 1.02V @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S1KFP
    RECTIFIER DIODE, 1.2A, 800V
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-123H
    • Тип корпуса: SOD-123HE
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.2A
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 1.2A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 1.5µs
    • Ток утечки: 5µA @ 800V
    • Емкость @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N5259B TR PBFREE
    DIODE ZENER 39V 500MW DO35
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 100nA @ 30V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 39V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4948GPHE3/54
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: SUPERECTIFIER®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 500ns
    • Ток утечки: 1µA @ 1000V
    • Емкость @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4729APE3/TR12
    DIODE ZENER 3.6V 1W DO204AL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 100µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 3.6V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SZ3728.T2
    DIODE ZENER 28V 3W DIE
    SMC Diode Solutions
    • Производитель: SMC Diode Solutions
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 165°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 21.4V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 3W
    • Напряжение стабилизации: 28V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 24 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZX85B6V8-TAP
    DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, BZX85
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Ток утечки: 1µA @ 4V
    • Допуск: ±2%
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Напряжение стабилизации: 6.8V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 3.5 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ES1ALHRQG
    DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 950mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Ток утечки: 5µA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN1N4463D
    DIODE ZENER 8.2V 1.5W DO41
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-41
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Ток утечки: 500nA @ 4.92V
    • Допуск: ±1%
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Напряжение стабилизации: 8.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.