• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • CZRV5254B-G
    DIODE ZENER 27V 200MW SOD323
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -60°C ~ 150°C
    • Package / Case: SC-76, SOD-323
    • Тип корпуса: SOD-323
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 21V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 27V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 41 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZD27C62P RHG
    DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 47V
    • Допуск: ±6.45%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 62V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ESH3DHE3/57T
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AB, SMC
    • Тип корпуса: DO-214AB (SMC)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 900mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 40ns
    • Ток утечки: 5µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TZMC7V5-M-18
    DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD80
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, TZM-M
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
    • Тип корпуса: SOD-80 MiniMELF
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 100nA @ 5V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 7.5V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4964US/TR
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: E-MELF
    • Тип корпуса: D-5B
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
    • Ток утечки: 5µA @ 13.7V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 18V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N5404K
    ST Rect, 400V, 3A
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
    • Тип корпуса: DO15/DO204AC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 3A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 1.5µs
    • Ток утечки: 5µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -50°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N5358BG
    DIODE ZENER 22V 5W AXIAL
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
    • Package / Case: T-18, Axial
    • Тип корпуса: Axial
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
    • Ток утечки: 500nA @ 16.7V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 22V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 3.5 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SR009HA0G
    DIODE SCHOTTKY 90V 500MA DO204AL
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 90V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 500mA
    • Прямое напряжение: 850mV @ 500mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 90V
    • Емкость @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-6CWQ03FNTRRPBF
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V DPAK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-PAK (TO-252AA)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Прямое напряжение: 350mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 30V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 3.5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMBJ5370AE3/TR13
    DIODE ZENER 56V 5W SMBJ
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-214AA, SMB
    • Тип корпуса: SMBJ (DO-214AA)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
    • Ток утечки: 500nA @ 40.3V
    • Допуск: ±10%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 56V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 35 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDLL5532C
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZX884S-C56-QYL
    BZX884S-C56-Q/SOD882BD/XSON2
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: DFN1006BD-2
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 50nA @ 39.2V
    • Допуск: ±1.96%
    • Мощность - Макс.: 365mW
    • Напряжение стабилизации: 56V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-10ETF04STRL-M3
    DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 100µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 3EZ16D10E3/TR12
    DIODE ZENER 16V 3W DO204AL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 500nA @ 12.2V
    • Допуск: ±10%
    • Мощность - Макс.: 3W
    • Напряжение стабилизации: 16V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 5.5 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PMEG6020ETR,115
    DIODE SCHOTTKY 60V 2A CFP3
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-123W
    • Тип корпуса: SOD-123W
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 530mV @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 8.5ns
    • Ток утечки: 150µA @ 60V
    • Емкость @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.