- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C15
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 16V
- Коэфициент емкости: 3
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: PG-TSLP-2-1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323-3
- Тип диода: 1 Pair Common Anode
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SSMini2-F2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 2.8
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 3.9
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 25V
- Коэфициент емкости: 6.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.8pF @ 8V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 8.2
- Параметры коэфициента емкости: C1/C8
- Добротность @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: SC-79
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 3.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C6
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.
Справочная информация по основным параметрам:
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) —
Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) —
Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) —
Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.