- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 47.5pF @ 2V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 18V
- Коэфициент емкости: 1.71
- Параметры коэфициента емкости: C2/C8
- Добротность @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz
-
- Производитель: Sprague-Goodman
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10.6pF @ 4V, 10MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Добротность @ Vr, F: 50 @ 2V, 10MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 60V
- Коэфициент емкости: 7
- Параметры коэфициента емкости: C0/C60
- Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: GIGAMITE®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: 0805 (2012 Metric)
- Тип корпуса: 0805
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 30V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: SOD-523
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 32V
- Коэфициент емкости: 10
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 13pF @ 8V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 18V
- Коэфициент емкости: 3.8
- Параметры коэфициента емкости: C2/C8
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 23.2
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 11
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.6
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
- 10
- 15
- 50
- 100