• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
ZMV829ATC DIODE VARACTOR 25V SOD323 Diodes Incorporated SC-76, SOD-323 25V 250 @ 3V, 50MHz Single Surface Mount SOD-323 -55°C ~ 150°C (TJ) 9.02pF @ 2V, 1MHz 5.8 C2/C20
ZMV933TA DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323 Diodes Incorporated SC-76, SOD-323 12V 150 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOD-323 12pF @ 4V, 50MHz
BB 555-02V E7902 DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.3pF @ 28V, 1MHz 9.8 C1/C28
BBY5802VH6327XTSA1 DIODE TUNING 10V 20MA SC79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 10V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 5.5pF @ 6V, 1MHz 3.5 C1/C4
BB69C-02V VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies
MAVR-045440-0287AT VARACTOR,SOT23,SINGLE,ABRUPT,PLA MACOM Technology Solutions TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 1300 @ 4V, 1MHz Single Surface Mount SOT-23 -55°C ~ 125°C 11pF @ 4V, 1MHz 4.5 C0/C30
KVX38S2-23-0/TR SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 27 V 200 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 125°C 32pF @ 3V, 1MHz
KV1993A-150A/TR SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 12V 1800 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 125°C 0.35pF @ 8V, 1MHz
MV34001-P00 GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 15V 3000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 175°C 0.5pF @ 4V, 1MHz 4.5 C2/C12
MV31021-150A GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 22V 2000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 175°C 3.7pF @ 4V, 1MHz 11.5 C2/C20
BB182LX,315 DIODE VHF VAR CAP 32V SOD882 NXP USA Inc. SOD-882 32V Single Surface Mount SOD2 -55°C ~ 125°C (TJ) 2.89pF @ 28V, 1MHz 22 C1/C28
MV104RLRAG DIODE TUNING FM DUAL 32V TO-92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 32V 140 @ 3V, 100MHz 1 Pair Common Cathode Through Hole TO-92 (TO-226) 125°C (TJ) 42pF @ 3V, 1MHz 2.8 C3/C30
MA27V0300L DIODE VARIABLE CAP 6V SSS-MINI Panasonic Electronic Components 2-SMD, Flat Lead 6V Single Surface Mount SSSMini2-F1 125°C (TJ) 2.58pF @ 4V, 1MHz 2.6 C1/C4
HVC202BTRU-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
HVC316TRU-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount 2-UFP 0.76pF @ 25V, 1MHz 9 C1/C25
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.