• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
FSD271TA DIODE VARIABLE CAP CC SOT23-3 Diodes Incorporated TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 Pair Common Cathode Surface Mount SOT-23-3
BB56502VH7902XTSA1 DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.2pF @ 28V, 1MHz 11 C1/C28
BB439E6327HTSA1 DIODE RF SGL 28V 20MA SOD323-2 Infineon Technologies SC-76, SOD-323 28V 600 @ 25V, 200MHz Single Surface Mount PG-SOD323-2 -55°C ~ 125°C (TJ) 6pF @ 25V, 1MHz 8 C2/C25
BBY 56-02W E6327 DIODE TUNING 10V 20MA SCD-80 Infineon Technologies SC-80 10V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 12.1pF @ 4V, 1MHz 3.3 C1/C3
GC15009-450A SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 22V 800 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 125°C 0.9pF @ 20V, 1MHz 13 C0/C20
KV2151-00 SI TVAR NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 22V 600 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 150°C 1.1pF @ 20V, 1MHz 5 C4/C20
MPV2100-206 SI TVAR NON HERMETIC MMSM Microchip Technology 0402 (1005 Metric) 22V 1500 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount 0402 -55°C ~ 125°C 1.5pF @ 4V, 1MHz 10 MPV
HVU202A3TRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
RKV501KG#P1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
RKV611KJ#R1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
RKV655KL#R6 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
RKV501KJ#R1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
SMV2023-001LF DIODE VARACTOR 22V 100MA SOT-23 Skyworks Solutions Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 22V 500 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 125°C (TJ) 4.2 C4/C20
SMV2023-004LF IC DIODE VARACTOR SOT23 Skyworks Solutions Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 22V 500 @ 4V, 50MHz 1 Pair Common Cathode Surface Mount SOT-23 -55°C ~ 125°C (TJ) 5.4pF @ 4V, 50MHz 4.2 C4/C20
1SV282TPH3F DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC Toshiba Semiconductor and Storage SC-79, SOD-523 34V Single Surface Mount ESC 125°C (TJ) 3pF @ 25V, 1MHz 12.5 C2/C25
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.