- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3pF @ 25V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 34V
- Коэфициент емкости: 12.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C25
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 5.4pF @ 4V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 4.2
- Параметры коэфициента емкости: C4/C20
- Добротность @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.1pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 5
- Параметры коэфициента емкости: C4/C20
- Добротность @ Vr, F: 600 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 11
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: MPV
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: 0402 (1005 Metric)
- Тип корпуса: 0402
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 10
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 28V
- Коэфициент емкости: 8
- Параметры коэфициента емкости: C2/C25
- Добротность @ Vr, F: 600 @ 25V, 200MHz
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Single
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 4.2
- Параметры коэфициента емкости: C4/C20
- Добротность @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 12.1pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C3
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.9pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz
- 10
- 15
- 50
- 100