• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
ZMV830ATA DIODE VAR CAP 10PF 25V SOD-323 Diodes Incorporated
BBY5202LE6816XTMA1 DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 7V Single Surface Mount PG-TSLP-2-1 -55°C ~ 150°C (TJ) 1.45pF @ 4V, 1MHz 2.1 C1/C4
MA46477-186 DIODE,VARACTOR,HYPER,DUAL,STRIPL MACOM Technology Solutions 2-SMD, Flat Lead 22V 3000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount ODS-186 -65°C ~ 175°C 2.2pF @ 4V, 1MHz 8.7 C2/C20
MA46H073-1056 DIODE,VARACTOR,CHIP,GAAS MACOM Technology Solutions 2-SMD 20V 2200 @ 4V, 1MHz Single Surface Mount -65°C ~ 150°C 5.5pF @ 4V, 1MHz 7.5 C0/C20
MPV21004-206/TR SI TVAR NON HERMETIC MMSM Microchip Technology
MPV1965-206 SI TVAR NON HERMETIC MMSM Microchip Technology 0402 (1005 Metric) 15V 1500 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount 0402 -55°C ~ 125°C 3.8pF @ 1V, 1MHz 3.6 C1/C6 MPV
MV21009-150A GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 30V 5000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 175°C 1.8pF @ 4V, 1MHz 4.5 C0/C30
MV104G DIODE TUNING FM DUAL 32V TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body 32V 140 @ 3V, 100MHz 1 Pair Common Cathode Through Hole TO-92 (TO-226) 125°C (TJ) 42pF @ 3V, 1MHz 2.8 C3/C30
SVC386T-AL SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE C onsemi
HVU306A5TRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
HVU316-1TRU-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
HVC300BTRV-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
RKV502KK-N#R1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
GVD1211-001 CAPACITOR Sprague-Goodman TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 2000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23 -55°C ~ 125°C (TJ) 6.8pF @ 4V, 50MHz 4
1SV277TPH3F DIODE VARICAP VCO UHF USC Toshiba Semiconductor and Storage SC-76, SOD-323 10V Single Surface Mount USC 125°C (TJ) 2.35pF @ 4V, 1MHz 2.3 C1/C4
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.