- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Добротность @ Vr, F
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Емкость @ Vr, F
|
Коэфициент емкости
|
Параметры коэфициента емкости
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BB545E7904HTSA1 | BB545 - SILICON VARIABLE CAPCITA | Infineon Technologies | |||||||||||
| MAVR-001350-12790T | VARACTOR,PLASTIC,SINGLE,SC-79 | MACOM Technology Solutions | SC-79, SOD-523 | 12V | Single | Surface Mount | SC-79 | -55°C ~ 125°C | 3.6pF @ 4V, 1MHz | 3.2 | C0.5/C3 | ||
| MA46473-134 | DIODE,VARACTOR,GAAS | MACOM Technology Solutions | Die | 22V | 3000 @ 4V, 50MHz | Single | Surface Mount | Chip | -65°C ~ 175°C | 1.2pF @ 4V, 1MHz | 7.4 | C2/C20 | |
| KV2113-154-4 | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | 1200 @ 4V, 50MHz | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.45pF @ 20V, 1MHz | |||
| BB153,135 | DIODE VHF VAR CAP 32V SOD323 | NXP USA Inc. | SC-76, SOD-323 | 32V | Single | Surface Mount | SOD-323 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 2.754pF @ 28V, 1MHz | 15 | C1/C28 | ||
| MMBV2101LT1G | DIODE TUNING SS 30V SOT23 | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V | 450 @ 4V, 50MHz | Single | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) | 150°C (TJ) | 7.5pF @ 4V, 1MHz | 3.2 | C2/C30 | |
| MA26V1600A | DIODE VARIABLE CAP 6V 1006 | Panasonic Electronic Components | SC-101, SOT-883 | 6V | Single | Surface Mount | ML3-N2 | 125°C (TJ) | 8.37pF @ 3V, 1MHz | 2.35 | C1/C3 | ||
| HVD380BKRF-E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||
| HVD328CKRU-E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||
| HVC372BTRF-E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||
| MMVL105GT1G | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||
| RKV611KJ#R1 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||
| HVU202BTRU-E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||
| RKV606KL#R1 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||
| SMVA1253-079LF | DIODE VARACTOR | Skyworks Solutions Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 15V | 350 @ 3V, 50MHz | Single | Surface Mount | SOT-23-3 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 4.8pF @ 4.7V, 50MHz | 12.3 | C0.3/C4.7 |
- 10
- 15
- 50
- 100
Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.
Справочная информация по основным параметрам:
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) —
Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) —
Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) —
Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.