• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
BB545E7904HTSA1 BB545 - SILICON VARIABLE CAPCITA Infineon Technologies
MAVR-001350-12790T VARACTOR,PLASTIC,SINGLE,SC-79 MACOM Technology Solutions SC-79, SOD-523 12V Single Surface Mount SC-79 -55°C ~ 125°C 3.6pF @ 4V, 1MHz 3.2 C0.5/C3
MA46473-134 DIODE,VARACTOR,GAAS MACOM Technology Solutions Die 22V 3000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -65°C ~ 175°C 1.2pF @ 4V, 1MHz 7.4 C2/C20
KV2113-154-4 SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 22V 1200 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 125°C 0.45pF @ 20V, 1MHz
BB153,135 DIODE VHF VAR CAP 32V SOD323 NXP USA Inc. SC-76, SOD-323 32V Single Surface Mount SOD-323 -55°C ~ 125°C (TJ) 2.754pF @ 28V, 1MHz 15 C1/C28
MMBV2101LT1G DIODE TUNING SS 30V SOT23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 450 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 150°C (TJ) 7.5pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30
MA26V1600A DIODE VARIABLE CAP 6V 1006 Panasonic Electronic Components SC-101, SOT-883 6V Single Surface Mount ML3-N2 125°C (TJ) 8.37pF @ 3V, 1MHz 2.35 C1/C3
HVD380BKRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
HVD328CKRU-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
HVC372BTRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
MMVL105GT1G VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
RKV611KJ#R1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
HVU202BTRU-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
RKV606KL#R1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
SMVA1253-079LF DIODE VARACTOR Skyworks Solutions Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 15V 350 @ 3V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 125°C (TJ) 4.8pF @ 4.7V, 50MHz 12.3 C0.3/C4.7
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.