- Тип корпуса
- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Емкость @ Vr, F
|
Коэфициент емкости
|
Параметры коэфициента емкости
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BBY5202LE6816XTMA1 | DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 7V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 1.45pF @ 4V, 1MHz | 2.1 | C1/C4 |
BBY 57-02L E6327 | DIODE TUNING 10V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 10V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 5.5pF @ 4V, 1MHz | 4.5 | C1/C4 |
BBY 58-02L E6327 | DIODE TUNING 10V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 10V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5.5pF @ 6V, 1MHz | 3.5 | C1/C4 |
BBY 51-02L E6327 | DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 7V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 3.7pF @ 4V, 1MHz | 2.2 | C1/C4 |
BBY5202LE6327XTMA1 | DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 7V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 1.45pF @ 4V, 1MHz | 2.1 | C1/C4 |
BBY5302LE6327XTMA1 | DIODE TUNING 6V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 6V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 3.1pF @ 3V, 1MHz | 2.6 | C1/C3 |
BBY5802LE6327 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Infineon Technologies | SOD-882 | 10V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 150°C | 5.5pF @ 6V, 1MHz | 1.3 | C4/C6 |
- 10
- 15
- 50
- 100