- Тип корпуса
- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Емкость @ Vr, F
|
Коэфициент емкости
|
Параметры коэфициента емкости
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BBY55-02WH6327 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Infineon Technologies | SC-80 | 16V | Single | Surface Mount | PG-SCD80-2 | -55°C ~ 150°C | 6.5pF @ 10V, 1MHz | 2.5 | C2/C10 |
| BB555H7902 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Infineon Technologies | SC-80 | 30V | Single | Surface Mount | PG-SCD80-2 | -55°C ~ 150°C | 2.3pF @ 28V, 1MHz | 8.9 | C1/C28 |
| BBY58-02W E6327 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Infineon Technologies | SC-80 | 10V | Single | Surface Mount | PG-SCD80-2 | -55°C ~ 150°C | 5.5pF @ 6V, 1MHz | 1.3 | C4/C6 |
| BB659CH7902 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Infineon Technologies | SC-80 | 30V | Single | Surface Mount | PG-SCD80-2 | -55°C ~ 150°C | 2.75pF @ 28V, 1MHz | 15.3 | C1/C28 |
- 10
- 15
- 50
- 100