- Тип корпуса
- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Добротность @ Vr, F
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Емкость @ Vr, F
|
Коэфициент емкости
|
Параметры коэфициента емкости
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SVC203C-TB-E | DIODE FM VARICAP TWIN VR 8V CP | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 16V | 60 @ 3V, 100MHz | 1 Pair Common Cathode | Surface Mount | 3-CP | 125°C (TJ) | 13.4pF @ 9V, 1MHz | 4.6 | C1/C9 |
| SVC230-TB-E | DIODE FM VARICAP TWIN VR 8V CP | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 16V | 100 @ 3V, 100MHz | 1 Pair Common Cathode | Surface Mount | 3-CP | 125°C (TJ) | 28.2pF @ 8V, 1MHz | 1.75 | C2/C8 |
| SVC203C-AA-TB-E | DIODE FM VARICAP TWIN VR 8V CP | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | 3-CP | |||||||
| SVC236-TB-E | DIODE FM VARICAP TWIN VR 6.5V CP | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 16V | 70 @ 3V, 100MHz | 1 Pair Common Cathode | Surface Mount | 3-CP | 125°C (TJ) | 16.84pF @ 6.5V, 1MHz | 5 | C1/C6.5 |
| SVC236-TB-E | DIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V | Sanyo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 16V | 70 @ 3V, 100MHz | 1 Pair Common Cathode | Surface Mount | 3-CP | 125°C (TJ) | 16.84pF @ 6.5V, 1MHz | 5 | C1/C6.5 |
| SVC203C-TD-E | DIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V | Sanyo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | 3-CP |
- 10
- 15
- 50
- 100