Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
MV2109RLRAG VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 30V 200 @ 4V, 50MHz Single Through Hole TO-92 36.3pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30
MV2105G VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 30V 400 @ 4V, 50MHz Single Through Hole TO-92 16.5pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30
MV2101G VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 30V 450 @ 4V, 50MHz Single Through Hole TO-92 150°C (TJ) 7.5pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30