• Емкость @ Vr, F
    • Коэфициент емкости
    • Параметры коэфициента емкости
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
BBY5502WH6327XTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 16V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 6.5pF @ 10V, 1MHz 3 C2/C10
BB659CH7903XTMA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.75pF @ 28V, 1MHz 15.3 C1/C28
BB 565 H7908 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.2pF @ 28V, 1MHz 11 C1/C28
BB555H7902XTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.3pF @ 28V, 1MHz 9.8 C1/C28
BBY5602WH6327XTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 10V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 12.1pF @ 4V, 1MHz 3.3 C1/C3
BBY5202WH6327XTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 7V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 1.45pF @ 4V, 1MHz 2.1 C1/C4
BB 664 H7902 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.75pF @ 28V, 1MHz 17.8 C1/C28
BB565E7902 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.2pF @ 28V, 1MHz 11 C1/C28
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100