Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMS-2829-TR1 RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4 Broadcom Limited TO-253-4, TO-253AA 15V Schottky - Cross Over SOT-143-4 150°C (TJ) 1A 1pF @ 0V, 1MHz 12Ohm @ 5mA, 1MHz
HSCH-5310 DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD Broadcom Limited
BAR 64-02V E6327 RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 150V PIN - Single PG-SC79-2 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 20V, 1MHz 250mW 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
BA 892-02V E6433 RF DIODE STANDARD 35V SC79-2 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 35V Standard - Single PG-SC79-2 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 500mOhm @ 10mA, 100MHz
MADL-011014-001000 LIMITER HIGH POWER,1.0-2.0GHZ,HE MACOM Technology Solutions 2-SMD, No Lead PIN - 1 Pair Series Connection SMD 175°C (TJ) 320 W
MADS-001317-1500AP RF DIODE SCHOTTKY 7V MACOM Technology Solutions 2-SMD, No Lead 7V Schottky -65°C ~ 125°C 0.02pF @ 0V, 1MHz
MADP-000235-10720T RF DIODE PIN 35V 7.5W MACOM Technology Solutions 2-SMD 35V PIN - Single -55°C ~ 150°C (TA) 1.5A 1.2pF @ 10V, 1MHz 7.5W 500mOhm @ 10mA, 100MHz
GC4721-42 SI LIMITER HERMETIC STUD Microchip Technology Stud 120V PIN - Single -55°C ~ 150°C 0.15pF @ 6V, 1MHz 5W 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
UM9301F SI PPIN HERMETIC MELF Microchip Technology Axial 75V PIN - Single Axial -65°C ~ 175°C 0.8pF @ 0V, 100MHz 1W 3Ohm @ 100mA, 100MHz
GC4741-150A SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 30V PIN - Single Chip -55°C ~ 150°C 0.1pF @ 6V, 1MHz 3W 2Ohm @ 10mA, 100MHz
LXZ1000-23-13/TR DIODE SCHOTTKY NON HERMETIC SMT Microchip Technology TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1V PIN - Single SOT-23-3 125°C (TJ) 0.3pF @ 500mV, 1MHz 75mW
UM4310D SI PPIN HERMETIC STUD Microchip Technology Stud 1000V PIN - Single 2.2pF @ 100V, 1MHz 15W 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
UM4301D SI PPIN HERMETIC STUD Microchip Technology Stud 100V PIN - Single 2.2pF @ 100V, 1MHz 15W 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
MMBD101LT1G DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 7V Schottky - Single SOT-23-3 (TO-236) 150°C (TJ) 1pF @ 0V, 1MHz 225mW
BA783-G3-18 RF DIODE PIN 35V SOD123 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-123 35V PIN - Single SOD-123 125°C (TJ) 100mA 1.2pF @ 3V, 1MHz 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.