- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMS-285C-TR1 | RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 2V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-323 | 150°C (TJ) | 0.3pF @ 1V, 1MHz | ||||
HSMP-3812-TR2G | RF DIODE PIN 100V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.35pF @ 50V, 1MHz | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | ||
HSMP-3814-TR1 | RF DIODE PIN 100V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Common Cathode | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.35pF @ 50V, 1MHz | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | ||
HMPS-2825-TR2 | RF DIODE SCHOTTKY 15V MINIPAK | Broadcom Limited | 4-UQFN | 15V | Schottky - 2 Independent | MiniPak 1412 | 150°C (TJ) | 1A | 1pF @ 0V, 1MHz | 12Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
BAR 50-02L E6327 | RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 50V | PIN - Single | PG-TSLP-2-1 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.4pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz | |
MA4E1340A1-1141T | SCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE | MACOM Technology Solutions | SC-76, SOD-323 | 70V | Schottky - Single | SOD-323 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 200mA | 2pF @ 0V, 1MHz | 250mW | MA4E1340 | |
MSS50-B46-E45R | COM SCHOTTKY, BEAMLEAD, E45R | MACOM Technology Solutions | E45 | 3V | Schottky - 1 Bridge | E45 | -65°C ~ 150°C | 50mA | 0.2pF @ 0V, 1MHz | 100mW | MSS50-xxx-x | |
MA4E2532L-1113 | HMIC SURMOUNT SCHOTTKY RING QUAD | MACOM Technology Solutions | Die | 5V | Schottky - 1 Bridge | Die | 175°C (TJ) | 20mA | 0.16pF @ 0V, 18GHz | 50mW | MA4E2532 Surmount™ | |
LM200802-M-A-300-T | LIMITER,SURFACE MOUNT MODULE,CS3 | MACOM Technology Solutions | 2-SMD, No Lead | PIN - Single | CS300 | 175°C (TJ) | ||||||
MADP-007436-12790T | DIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE | MACOM Technology Solutions | SC-79, SOD-523 | 75V | PIN - Single | SC-79 | 175°C (TJ) | 150mA | 1pF @ 20V, 1MHz | 200mW | 500mOhm @ 10mA, 100MHz | SMPP |
UM2104A | SI PPIN HERMETIC SEAL | Microchip Technology | Axial | 400V | PIN - Single | Axial | -65°C ~ 175°C | 2.5pF @ 100V, 1MHz | 25W | 2Ohm @ 100mA, 2MHz | ||
BAP65-05,215 | RF DIODE PIN 30V 250MW TO236AB | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V | PIN - 1 Pair Common Cathode | SOT-23 (TO-236AB) | -65°C ~ 150°C (TJ) | 100mA | 0.425pF @ 20V, 1MHz | 250mW | 350mOhm @ 100mA, 100MHz | |
BA792,115 | DIODE BAND-SWITCHING SOD110 | Rochester Electronics, LLC | SOD-110 | 35V | Standard - Single | SOD110 | 150°C (TJ) | 100mA | 1.1pF @ 3V, 1MHz | 700mOhm @ 3mA, 200MHz | ||
HSC277-7TRF-E | DIODE FOR UHF/VHF TUNER | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||
SMS3926-023LF | RF DIODE SCHOTTKY 2V 75MW SOT143 | Skyworks Solutions Inc. | TO-253-4, TO-253AA | 2V | Schottky - Cross Over | SOT-143 | 150°C (TJ) | 50mA | 0.5pF @ 0V, 1MHz | 75mW | 8Ohm @ 10mA, 1MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.