Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMS-285C-TR1 RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 2V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-323 150°C (TJ) 0.3pF @ 1V, 1MHz
HSMP-3812-TR2G RF DIODE PIN 100V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100V PIN - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 0.35pF @ 50V, 1MHz 3Ohm @ 100mA, 100MHz
HSMP-3814-TR1 RF DIODE PIN 100V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100V PIN - 1 Pair Common Cathode SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 0.35pF @ 50V, 1MHz 3Ohm @ 100mA, 100MHz
HMPS-2825-TR2 RF DIODE SCHOTTKY 15V MINIPAK Broadcom Limited 4-UQFN 15V Schottky - 2 Independent MiniPak 1412 150°C (TJ) 1A 1pF @ 0V, 1MHz 12Ohm @ 5mA, 1MHz
BAR 50-02L E6327 RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 50V PIN - Single PG-TSLP-2-1 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 5V, 1MHz 250mW 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
MA4E1340A1-1141T SCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE MACOM Technology Solutions SC-76, SOD-323 70V Schottky - Single SOD-323 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mA 2pF @ 0V, 1MHz 250mW MA4E1340
MSS50-B46-E45R COM SCHOTTKY, BEAMLEAD, E45R MACOM Technology Solutions E45 3V Schottky - 1 Bridge E45 -65°C ~ 150°C 50mA 0.2pF @ 0V, 1MHz 100mW MSS50-xxx-x
MA4E2532L-1113 HMIC SURMOUNT SCHOTTKY RING QUAD MACOM Technology Solutions Die 5V Schottky - 1 Bridge Die 175°C (TJ) 20mA 0.16pF @ 0V, 18GHz 50mW MA4E2532 Surmount™
LM200802-M-A-300-T LIMITER,SURFACE MOUNT MODULE,CS3 MACOM Technology Solutions 2-SMD, No Lead PIN - Single CS300 175°C (TJ)
MADP-007436-12790T DIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE MACOM Technology Solutions SC-79, SOD-523 75V PIN - Single SC-79 175°C (TJ) 150mA 1pF @ 20V, 1MHz 200mW 500mOhm @ 10mA, 100MHz SMPP
UM2104A SI PPIN HERMETIC SEAL Microchip Technology Axial 400V PIN - Single Axial -65°C ~ 175°C 2.5pF @ 100V, 1MHz 25W 2Ohm @ 100mA, 2MHz
BAP65-05,215 RF DIODE PIN 30V 250MW TO236AB NXP USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V PIN - 1 Pair Common Cathode SOT-23 (TO-236AB) -65°C ~ 150°C (TJ) 100mA 0.425pF @ 20V, 1MHz 250mW 350mOhm @ 100mA, 100MHz
BA792,115 DIODE BAND-SWITCHING SOD110 Rochester Electronics, LLC SOD-110 35V Standard - Single SOD110 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 700mOhm @ 3mA, 200MHz
HSC277-7TRF-E DIODE FOR UHF/VHF TUNER Rochester Electronics, LLC
SMS3926-023LF RF DIODE SCHOTTKY 2V 75MW SOT143 Skyworks Solutions Inc. TO-253-4, TO-253AA 2V Schottky - Cross Over SOT-143 150°C (TJ) 50mA 0.5pF @ 0V, 1MHz 75mW 8Ohm @ 10mA, 1MHz

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.