• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSCH-5512 DIODE SCHOTTKY PAIR 500V BEAM LD Broadcom Limited
HSMS-2855-TR1G RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT143-4 Broadcom Limited TO-253-4, TO-253AA 2V Schottky - 2 Independent SOT-143-4 150°C (TJ) 0.3pF @ 1V, 1MHz
HSMP-489B-BLKG RF DIODE PIN 100V SOT323 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 100V PIN - Single SOT-323 150°C (TJ) 1A 0.375pF @ 5V, 1MHz 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
HSMP-389C-BLKG RF DIODE PIN 100V SOT323 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 100V PIN - 1 Pair Series Connection SOT-323 150°C (TJ) 1A 0.3pF @ 5V, 1MHz 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
BAT6804WH6327XTSA1 DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3 Infineon Technologies SC-70, SOT-323 8V Schottky - 1 Pair Series Connection PG-SOT323 150°C (TJ) 130mA 1pF @ 0V, 1MHz 150mW 10Ohm @ 5mA, 10kHz
BAT1706WE6327 RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE Infineon Technologies SC-70, SOT-323 4V Schottky - 1 Pair Common Anode SOT-323 150°C (TJ) 130mA 0.75pF @ 0V, 1MHz 150mW 15Ohm @ 5mA, 10kHz
GC4702-00 SI LIMITER NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 20V PIN - Single Chip -55°C ~ 150°C 0.3pF @ 6V, 1MHz 3W 1.2Ohm @ 10mA, 100MHz
GC4701-00 SI LIMITER NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 20V PIN - Single Chip -55°C ~ 150°C 0.15pF @ 6V, 1MHz 2W 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
LAN9360N20B-CBVAO AVB ENDPOINT, 7 STREAMS, 40 CH., Microchip Technology
BAT17,215 NEXPERIA BAT17 - MIXER DIODE NXP Semiconductors
BAR 67-04 E6327 PIN DIODE, 150V V(BR) Rochester Electronics, LLC TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150V PIN - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 200mA 0.55pF @ 5V, 1MHz 250mW 1Ohm @ 10mA, 100MHz
MMBV3401LT1G PIN DIODE, 35V V(BR), TO-236AB Rochester Electronics, LLC TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 35V PIN - Single SOT-23-3 (TO-236) 125°C (TJ) 1pF @ 20V, 1MHz 200mW 700mOhm @ 10mA, 100MHz
APD0505-000 RF DIODE PIN 50V DIE Skyworks Solutions Inc. Die 50V PIN - Single Die -65°C ~ 175°C (TJ) 200mA 0.05pF @ 50V, 1MHz 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz
SMP1304-087LF RF DIODE PIN 200V 1W 2QFN Skyworks Solutions Inc. 2-VSFN Exposed Pad 200V PIN - Single 2-QFN (2x2) -55°C ~ 175°C (TJ) 200mA 0.3pF @ 30V, 1MHz 1W 2Ohm @ 100mA, 100MHz
BA283-TR RF DIODE STANDARD 35V DO35 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AH, DO-35, Axial 35V Standard - Single DO-35 (DO-204AH) 125°C (TJ) 100mA 1.2pF @ 3V, 100MHz 900mOhm @ 10mA, 200MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте