- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 1V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 2V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.375pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 2-VSFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 2-QFN (2x2)
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz
- Ток, макс.: 200mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1W
- Обратное пиковое напряжение: 200V
- Сопротивление @ If, F: 2Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 200mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 150V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200mW
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3W
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Тип диода: Schottky - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 130mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 8V
- Сопротивление @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.05pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 200mA
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип диода: Schottky - 1 Pair Common Anode
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 130mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.
Справочная информация по основным параметрам:
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) —
Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) —
Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.