Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HMPP-3865-TR1 RF DIODE PIN 50V MINIPAK Broadcom Limited 0505 (1412 Metric) 50V PIN - 2 Independent MiniPak 1412 150°C (TJ) 1A 0.2pF @ 50V, 1MHz 22Ohm @ 1mA, 100MHz
HSMP-389V-TR1 RF DIODE PIN 100V SOT363 Broadcom Limited 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 100V PIN - 2 Independent SOT-363 150°C (TJ) 1A 0.3pF @ 5V, 1MHz 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
HSMS-8101-TR2G RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 4V Schottky - Single SOT-23-3 150°C (TJ) 0.26pF @ 0V, 1MHz 75mW 14Ohm @ 5mA, 1MHz
HSMS-2850-TR1 RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2V Schottky - Single SOT-23-3 150°C (TJ) 0.3pF @ 1V, 1MHz
BA892H6433XTMA1 RF DIODE STANDARD 35V SCD80 Infineon Technologies SC-80 35V Standard - Single SCD-80 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 500mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR9002ELSE6327XTSA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2 Infineon Technologies 0201 (0603 Metric) 80V PIN - Single PG-TSSLP-2-3 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR65-03WE6327 BAR65 - PIN DIODE Infineon Technologies
MMP7068-37 DIODE,PIN,HERMETIC,CS37 MACOM Technology Solutions
MA4P7447CA-287T DIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE MACOM Technology Solutions TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100V PIN - 1 Pair Common Anode SOT-23 175°C (TJ) 150mA 1.2pF @ 20V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz SMPP
LM501202-M-C-300-T MODULE,LIMITER,SURFACE MOUNT,CS3 MACOM Technology Solutions 2-SMD, No Lead PIN - Single CS300 175°C (TJ) 200 W
MLP7120-11 LIMITER DIODE,DIE MACOM Technology Solutions Die 180V PIN - Single Die -55°C ~ 150°C 0.15pF @ 6V, 1MHz 5W 1.5Ohm @ 10mA, 1GHz
UM9402 SI PPIN HERMETIC GLASS FLANGE Microchip Technology 2-SMD 50V PIN - Single -65°C ~ 175°C 1.5pF @ 0V, 100MHz 10W 1Ohm @ 50mA, 100MHz
GC4731-150A-AP SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 15V PIN - Single Chip -55°C ~ 150°C 0.1pF @ 6V, 1MHz 2W 2Ohm @ 10mA, 100MHz
MP61007-P00 GAAS PIN NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 75V PIN - Single Chip -55°C ~ 175°C 50mA 0.1pF @ 10V, 1MHz 2Ohm @ 20mA, 1GHz
MPN3700G RF DIODE PIN 200V 280MW TO92 onsemi TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 200V PIN - Single TO-92 125°C (TJ) 1pF @ 20V, 1MHz 280mW 1Ohm @ 10mA, 100MHz

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.