- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HMPP-3865-TR1 | RF DIODE PIN 50V MINIPAK | Broadcom Limited | 0505 (1412 Metric) | 50V | PIN - 2 Independent | MiniPak 1412 | 150°C (TJ) | 1A | 0.2pF @ 50V, 1MHz | 22Ohm @ 1mA, 100MHz | ||
HSMP-389V-TR1 | RF DIODE PIN 100V SOT363 | Broadcom Limited | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 100V | PIN - 2 Independent | SOT-363 | 150°C (TJ) | 1A | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz | ||
HSMS-8101-TR2G | RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 4V | Schottky - Single | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 0.26pF @ 0V, 1MHz | 75mW | 14Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
HSMS-2850-TR1 | RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2V | Schottky - Single | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 0.3pF @ 1V, 1MHz | ||||
BA892H6433XTMA1 | RF DIODE STANDARD 35V SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 35V | Standard - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 100mA | 1.1pF @ 3V, 1MHz | 500mOhm @ 10mA, 100MHz | ||
BAR9002ELSE6327XTSA1 | RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 80V | PIN - Single | PG-TSSLP-2-3 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 1V, 1MHz | 250mW | 800mOhm @ 10mA, 100MHz | |
BAR65-03WE6327 | BAR65 - PIN DIODE | Infineon Technologies | ||||||||||
MMP7068-37 | DIODE,PIN,HERMETIC,CS37 | MACOM Technology Solutions | ||||||||||
MA4P7447CA-287T | DIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE | MACOM Technology Solutions | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Common Anode | SOT-23 | 175°C (TJ) | 150mA | 1.2pF @ 20V, 1MHz | 250mW | 600mOhm @ 10mA, 100MHz | SMPP |
LM501202-M-C-300-T | MODULE,LIMITER,SURFACE MOUNT,CS3 | MACOM Technology Solutions | 2-SMD, No Lead | PIN - Single | CS300 | 175°C (TJ) | 200 W | |||||
MLP7120-11 | LIMITER DIODE,DIE | MACOM Technology Solutions | Die | 180V | PIN - Single | Die | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 5W | 1.5Ohm @ 10mA, 1GHz | ||
UM9402 | SI PPIN HERMETIC GLASS FLANGE | Microchip Technology | 2-SMD | 50V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 1.5pF @ 0V, 100MHz | 10W | 1Ohm @ 50mA, 100MHz | |||
GC4731-150A-AP | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 15V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.1pF @ 6V, 1MHz | 2W | 2Ohm @ 10mA, 100MHz | ||
MP61007-P00 | GAAS PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 75V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 175°C | 50mA | 0.1pF @ 10V, 1MHz | 2Ohm @ 20mA, 1GHz | ||
MPN3700G | RF DIODE PIN 200V 280MW TO92 | onsemi | TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | 200V | PIN - Single | TO-92 | 125°C (TJ) | 1pF @ 20V, 1MHz | 280mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.