• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMS-282C-BLKG RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 15V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-323 150°C (TJ) 1A 1pF @ 0V, 1MHz 12Ohm @ 5mA, 1MHz
HSMS-282M-TR2G RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363 Broadcom Limited 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 15V Schottky - 2 Pair Common Cathode SOT-363 150°C (TJ) 1A 1pF @ 0V, 1MHz 12Ohm @ 5mA, 1MHz
HSMS-280M-BLKG RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363 Broadcom Limited 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 70V Schottky - 2 Pair Common Cathode SOT-363 150°C (TJ) 1A 2pF @ 0V, 1MHz 35Ohm @ 5mA, 1MHz
HSCH-5312 DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD Broadcom Limited
BAR81WE6327BTSA1 DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4 Infineon Technologies SC-82A, SOT-343 30V Standard - Single PG-SOT343-3D 150°C (TJ) 100mA 0.9pF @ 3V, 1MHz 100mW 1Ohm @ 5mA, 100MHz
MADP-010633-13920T DIODE,PIN,1392,CCM218 MACOM Technology Solutions 0805 (2012 Metric) 500V PIN - Single 0805 175°C (TJ) 0.4pF @ 50V, 1MHz 100 W 600mOhm @ 100mA, 100MHz
MA4SPS421 DIODE,SILICON-GLASS,PIN,CHIP MACOM Technology Solutions Die 200V PIN - Single Die -55°C ~ 125°C (TJ) 250mA 0.175pF @ 0V, 1MHz 1.8W 6.2Ohm @ 10mA, 1GHz MA4SPS421 Surmount™
MA4L022-134 RF DIODE PIN 35V CHIP MACOM Technology Solutions Die 35V PIN - Single Chip -55°C ~ 125°C (TJ) 100mA 0.19pF @ 0V, 1MHz 2Ohm @ 10mA, 500MHz
MSS20-047-H27 SCHOTTKY DIODE,BEAMLEAD, H27 MACOM Technology Solutions H27 1V Schottky - Single H27 -65°C ~ 150°C 35mA 0.22pF @ 0V, 1MHz 100mW
UM7010CR SI PPIN HERMETIC STUD Microchip Technology Stud 1000V PIN - Single -65°C ~ 175°C 0.9pF @ 100V, 1MHz 10W 1Ohm @ 100mA, 100MHz
UM7104DR SI PPIN HERMETIC STUD Microchip Technology Stud 400V PIN - Single -65°C ~ 175°C 1.2pF @ 100V, 1MHz 7.5W 600mOhm @ 100mA, 100MHz
MG49123-42 GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD Microchip Technology Stud
UM7501F SI PPIN HERMETIC MELF Microchip Technology 100V PIN - Single -65°C ~ 175°C 1pF @ 100V, 1MHz 10W 1Ohm @ 50mA, 100MHz
SMS3923-005LF RF DIODE SCHOTTKY 20V 75MW SOT23 Skyworks Solutions Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 20V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 50mA 75mW
BA782-E3-18 RF DIODE PIN 35V SOD123 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-123 35V PIN - Single SOD-123 125°C (TJ) 100mA 1.25pF @ 3V, 1MHz 700mOhm @ 3mA, 1GHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте