Полупроводники, Диоды, RF Toshiba Semiconductor and Storage
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: USC
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
- Ток, макс.: 30mA
- Обратное пиковое напряжение: 5V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: fSC
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
- Ток, макс.: 10mA
- Обратное пиковое напряжение: 10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: fSC
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: fSC
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 900mOhm @ 2mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Тип диода: Schottky
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz
- Ток, макс.: 25mA
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: fSC
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz
- Ток, макс.: 25mA
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: fSC
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: fSC
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: USC
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 0201 (0603 Metric)
- Тип корпуса: SC2
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 180V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: CST2
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100