• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMP-3812-TR1 RF DIODE PIN 100V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100V PIN - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 0.35pF @ 50V, 1MHz 3Ohm @ 100mA, 100MHz
HMPP-3890-TR1 RF DIODE PIN 100V MINIPAK Broadcom Limited 0505 (1412 Metric) 100V PIN - Single MiniPak 1412 150°C (TJ) 1A 0.3pF @ 5V, 1MHz 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
HSMS-282Y-TR1G RF DIODE SCHOTTKY 15V SOD523 Broadcom Limited SC-79, SOD-523 15V Schottky - Single SOD-523 150°C (TJ) 1A 1pF @ 0V, 1MHz 12Ohm @ 5mA, 1MHz
HSMS-280K-BLKG RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363 Broadcom Limited 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 70V Schottky - 1 Pair Isolated SOT-363 150°C (TJ) 1A 2pF @ 0V, 1MHz 35Ohm @ 5mA, 1MHz
BAR63-05WH6327 PIN DIODE, 50V V(BR) Infineon Technologies SC-70, SOT-323 50V PIN - 1 Pair Common Cathode PG-SOT323-3 150°C (TJ) 100mA 0.3pF @ 5V, 1MHz 250mW
BAR63-03WE6433 PIN DIODE, 50V V(BR) Infineon Technologies SC-76, SOD-323 50V PIN - Single PG-SOD323-2 150°C (TJ) 100mA 0.3pF @ 5V, 1MHz 250mW 1Ohm @ 10mA, 100MHz
BA595E6359HTMA1 RF DIODE PIN 50V SC79-2 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 50V PIN - Single PG-SC79-2-1 150°C (TJ) 50mA 0.6pF @ 10V, 1MHz 7Ohm @ 10mA, 100MHz Automotive, AEC-Q101
UM9415SM SI PPIN HERMETIC MELF Microchip Technology SQ-MELF 50V PIN - Single -65°C ~ 175°C 4pF @ 0V, 100MHz 10W 1Ohm @ 50mA, 100MHz
MML4403-GM3 SI LIMITER NON HERMETIC PLASTIC Microchip Technology 4-SMD, No Lead 75V PIN - 2 Independent -55°C ~ 150°C 1.5pF @ 0V, 1MHz 1Ohm @ 100mA, 100MHz MML4400
UM4306SM SI PPIN HERMETIC MELF Microchip Technology SQ-MELF 600V PIN - Single 2.2pF @ 100V, 1MHz 15W 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
UPP1004/TR13 RF DIODE PIN 100V 2.5W DO216 Microsemi Corporation DO-216AA 100V PIN - Single DO-216 -55°C ~ 150°C (TJ) 1.6pF @ 100V, 1MHz 2.5W 1Ohm @ 10mA, 100MHz POWERMITE®
BAP64Q,125 RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP NXP USA Inc. SC-74A, SOT-753 100V PIN - 2 Pair CA + CC 5-TSOP -65°C ~ 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 20V, 1MHz 125mW 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
BAP63-03,115 BAP63-03 - PIN DIODE, 50V V(BR) Rochester Electronics, LLC SC-76, SOD-323 50V PIN - Single SOD-323 -65°C ~ 150°C (TJ) 100mA 0.32pF @ 20V, 1MHz 500mW 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
SMP1320-075LF RF DIODE PIN 50V 250MW SC70-3 Skyworks Solutions Inc. SC-70, SOT-323 50V PIN - 1 Pair Series Connection SC-70-3 -65°C ~ 150°C (TA) 0.3pF @ 30V, 1MHz 250mW 900mOhm @ 10mA, 100MHz
BA783-G3-08 RF DIODE PIN 35V SOD123 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-123 35V PIN - Single SOD-123 125°C (TJ) 100mA 1.2pF @ 3V, 1MHz 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте