- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMP-3812-TR1 | RF DIODE PIN 100V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.35pF @ 50V, 1MHz | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | ||
HMPP-3890-TR1 | RF DIODE PIN 100V MINIPAK | Broadcom Limited | 0505 (1412 Metric) | 100V | PIN - Single | MiniPak 1412 | 150°C (TJ) | 1A | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz | ||
HSMS-282Y-TR1G | RF DIODE SCHOTTKY 15V SOD523 | Broadcom Limited | SC-79, SOD-523 | 15V | Schottky - Single | SOD-523 | 150°C (TJ) | 1A | 1pF @ 0V, 1MHz | 12Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
HSMS-280K-BLKG | RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363 | Broadcom Limited | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 70V | Schottky - 1 Pair Isolated | SOT-363 | 150°C (TJ) | 1A | 2pF @ 0V, 1MHz | 35Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
BAR63-05WH6327 | PIN DIODE, 50V V(BR) | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | 50V | PIN - 1 Pair Common Cathode | PG-SOT323-3 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | ||
BAR63-03WE6433 | PIN DIODE, 50V V(BR) | Infineon Technologies | SC-76, SOD-323 | 50V | PIN - Single | PG-SOD323-2 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | |
BA595E6359HTMA1 | RF DIODE PIN 50V SC79-2 | Infineon Technologies | SC-79, SOD-523 | 50V | PIN - Single | PG-SC79-2-1 | 150°C (TJ) | 50mA | 0.6pF @ 10V, 1MHz | 7Ohm @ 10mA, 100MHz | Automotive, AEC-Q101 | |
UM9415SM | SI PPIN HERMETIC MELF | Microchip Technology | SQ-MELF | 50V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 4pF @ 0V, 100MHz | 10W | 1Ohm @ 50mA, 100MHz | |||
MML4403-GM3 | SI LIMITER NON HERMETIC PLASTIC | Microchip Technology | 4-SMD, No Lead | 75V | PIN - 2 Independent | -55°C ~ 150°C | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 1Ohm @ 100mA, 100MHz | MML4400 | |||
UM4306SM | SI PPIN HERMETIC MELF | Microchip Technology | SQ-MELF | 600V | PIN - Single | 2.2pF @ 100V, 1MHz | 15W | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | ||||
UPP1004/TR13 | RF DIODE PIN 100V 2.5W DO216 | Microsemi Corporation | DO-216AA | 100V | PIN - Single | DO-216 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 1.6pF @ 100V, 1MHz | 2.5W | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | POWERMITE® | |
BAP64Q,125 | RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP | NXP USA Inc. | SC-74A, SOT-753 | 100V | PIN - 2 Pair CA + CC | 5-TSOP | -65°C ~ 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 20V, 1MHz | 125mW | 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz | |
BAP63-03,115 | BAP63-03 - PIN DIODE, 50V V(BR) | Rochester Electronics, LLC | SC-76, SOD-323 | 50V | PIN - Single | SOD-323 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 100mA | 0.32pF @ 20V, 1MHz | 500mW | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | |
SMP1320-075LF | RF DIODE PIN 50V 250MW SC70-3 | Skyworks Solutions Inc. | SC-70, SOT-323 | 50V | PIN - 1 Pair Series Connection | SC-70-3 | -65°C ~ 150°C (TA) | 0.3pF @ 30V, 1MHz | 250mW | 900mOhm @ 10mA, 100MHz | ||
BA783-G3-08 | RF DIODE PIN 35V SOD123 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOD-123 | 35V | PIN - Single | SOD-123 | 125°C (TJ) | 100mA | 1.2pF @ 3V, 1MHz | 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.