- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMP-381B-TR1G | RF DIODE PIN 100V SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 100V | PIN - Single | SOT-323 | 150°C (TJ) | 1A | 0.35pF @ 50V, 1MHz | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | ||
HPND-4005 | RF DIODE PIN 120V 250MW | Broadcom Limited | 2-SMD, Beam Lead | 120V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C (TJ) | 0.02pF @ 10V, 10GHz | 250mW | 6.5Ohm @ 20mA, 100MHz | |||
HSMP-3815-TR1G | RF DIODE PIN 100V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.35pF @ 50V, 1MHz | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | ||
HSMP-3824-TR1G | RF DIODE PIN 50V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50V | PIN - 1 Pair Common Cathode | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.8pF @ 20V, 1MHz | 600mOhm @ 10mA, 100MHz | ||
HSMP-4820-TR2G | RF DIODE PIN 50V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50V | PIN - Single | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.75pF @ 20V, 1MHz | 600mOhm @ 10mA, 1MHz | ||
BAT 15-02LS E6327 | RF DIODE SCHOTTKY 4V TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 4V | Schottky - Single | PG-TSSLP-2-1 | 110mA | |||||
MADP-000165-01340W | RF DIODE PIN 200V DIE | MACOM Technology Solutions | Die | 200V | PIN - Single | Die | 175°C (TJ) | 0.06pF @ 10V, 1MHz | 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz | |||
MADS-011010-14150T | RF DIODE SCHOTTKY 6TDFN | MACOM Technology Solutions | 6-WFDFN Exposed Pad | Schottky - 1 Pair Common Cathode | 6-TDFN (1.5x1.2) | 175°C (TJ) | ||||||
UM9701 | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 100V | PIN - Single | Axial | -65°C ~ 175°C | 1.8pF @ 50V, 1MHz | 500mW | 800mOhm @ 10mA, 100MHz | ||
GC4713-35 | SI LIMITER HERMETIC PILL | Microchip Technology | 2-SMD | 45V | PIN - Single | -55°C ~ 150°C | 0.5pF @ 6V, 1MHz | 5W | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | |||
HUM2020SM | SI PPIN HERMETIC MELF | Microchip Technology | SQ-MELF | 2000V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 4pF @ 100V, 1MHz | 13W | 200mOhm @ 500mA, 4MHz | |||
GC4310-02 | SI NIP NON HERMETIC CHIP W LEAD | Microchip Technology | 100V | PIN - Single | -55°C ~ 150°C | 0.06pF @ 10V, 1MHz | 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz | |||||
RN142ZS8ATE61 | RF DIODE PIN 30V 8HMD | Rohm Semiconductor | HMD8 | 30V | PIN - 4 Independent | 8-HMD (1.6x0.8) | 150°C (TJ) | 50mA | 0.45pF @ 1V, 1MHz | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||
SMP1325-087LF | RF DIODE PIN 2W 2QFN | Skyworks Solutions Inc. | 2-VSFN Exposed Pad | PIN - Single | 2-QFN (2x2) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 200mA | 0.6pF @ 20V, 1MHz | 2W | 550mOhm @ 100mA, 100MHz | ||
SMS7630-005LF | RF DIODE SCHOTTKY 2V 75MW SOT23 | Skyworks Solutions Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | -65°C ~ 150°C (TA) | 50mA | 75mW |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.