-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT 15-02LS E6327 | RF DIODE SCHOTTKY 4V TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 4V | Schottky - Single | PG-TSSLP-2-1 | 110mA | ||||
| BAR9002LSE6327XTSA1 | RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 80V | PIN - Single | PG-TSSLP-2-1 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 1V, 1MHz | 150mW | 800mOhm @ 10mA, 100MHz |
| BAT6202LSE6327XTSA1 | DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 40V | Schottky - Single | PG-TSSLP-2-1 | 150°C (TJ) | 20mA | 0.6pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAT2402LSE6327XTSA1 | DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 4V | Schottky - Single | PG-TSSLP-2-1 | 150°C (TJ) | 110mA | 0.23pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAT62-02LSE6327 | MIXER DIODE, LOW BARRIER | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 40V | Schottky - Single | PG-TSSLP-2-1 | 150°C (TJ) | 20mA | 0.6pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAR 95-02LS E6327 | RF DIODE PIN 50V 150MW TSSLP-2 | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 50V | PIN - Single | PG-TSSLP-2-1 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 1V, 1MHz | 150mW | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100