• Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
BAR 90-098L4 E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR 88-099LRH E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 1V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR 90-07LRH E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR 90-099LRH E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAT15-098LRH MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND Infineon Technologies 4-XFDFN 4V Schottky - 2 Pair Common Cathode PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 110mA 0.5pF @ 0V, 1MHz 100mW
BAR 88-07LRH E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 1V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz
BAT 15-099LRH E6327 DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 4V Schottky - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 110mA 0.35pF @ 0V, 1MHz 100mW
BAR90098LRHE6327XTSA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR 88-098LRH E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 1V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100