Полупроводники, Диоды, RF Infineon Technologies PG-TSLP-4-7
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: Schottky - 2 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100