• Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
BAR 64-02LRH E6433 RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 150V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 20V, 1MHz 250mW 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
BAR8902LRHE6433XTMA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 80V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
BAR8802LRHE6327XTSA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 80V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 1V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR6402LRHE6327XTSA1 RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 150V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 20V, 1MHz 250mW 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
BAR9002LRHE6327XTSA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 80V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR88-02LRHE6327 PIN DIODE, 80V V(BR) Infineon Technologies SOD-882 80V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 1V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR 88-02LRH E6433 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 80V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.4pF @ 1V, 1MHz 250mW 600mOhm @ 10mA, 100MHz
BAT1502LRHE6327XTSA1 RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2 Infineon Technologies SOD-882 4V Schottky - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 110mA 0.35pF @ 0V, 1MHz 100mW
BAR8902LRHE6327XTSA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 80V PIN - Single PG-TSLP-2-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100