• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CFD4448 TR PBFREE DIDE GEN PURP 120V 250MA SOD882L Central Semiconductor Corp
MBR200100CTS DIODE MODULE 100V 200A SOT227 GeneSiC Semiconductor SOT-227-4 Schottky Screw Mount SOT-227 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 80V 950mV @ 100A 100V -40°C ~ 175°C 2 Independent 200A (DC)
R2190 STD RECTIFIER Microchip Technology
JANTXV1N5819UR-1 SCHOTTKY Microchip Technology DO-213AB, MELF (Glass) 1A Schottky Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 45V 70pF @ 5V, 1MHz 490mV @ 1A 45V -65°C ~ 125°C Military, MIL-PRF-19500/586
BAT46GW,115 RECTIFIER, SCHOTTKY, 0.25A, 100V Nexperia USA Inc.
QRS0660T30 DIODE GEN PURP 600V 294A MODULE Powerex Inc. Module 294A Standard Chassis Mount Module Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 600V 2.8V @ 600A 600V 110ns
1PS181,115 RECTIFIER DIODE Rochester Electronics, LLC TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Standard Surface Mount SMT3; MPAK Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 80V 1.2V @ 100mA 80V 4ns 150°C (Max) 1 Pair Common Anode 215mA (DC)
RB530VM-30TE-17 DIODE SCHOTTKY 30V 100MA UMD2 Rohm Semiconductor SC-90, SOD-323F 100mA Schottky Surface Mount UMD2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 10V 450mV @ 10mA 30V 150°C (Max)
SD040SB100A.T PIV 100V IO 1A CHIP SIZE 40MIL S SMC Diode Solutions Die 1A Schottky Surface Mount Die Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30µA @ 100V 35pF @ 5V, 1MHz 840mV @ 1A 100V -55°C ~ 175°C
BAT54CWFILM DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 STMicroelectronics SC-70, SOT-323 Schottky Surface Mount SOT-323 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 30V 900mV @ 100mA 40V 5ns -40°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 300mA (DC)
SS215LHR3G DIODE SCHOTTKY 150V 2A SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 2A Schottky Surface Mount Sub SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 150V 950mV @ 2A 150V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
LS103B-GS08 DIODE SCHOTTKY 30V 15A SOD80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-80 Variant Schottky Surface Mount SOD-80 QuadroMELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 20V 50pF @ 0V, 1MHz 600mV @ 200mA 30V 10ns 125°C (Max) Automotive, AEC-Q101
VS-1EFU06-M3/I DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-219AB 1A Standard Surface Mount DO-219AB (SMF) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3µA @ 600V 1.2V @ 1A 600V 32ns -55°C ~ 175°C FRED Pt®
BAS40-06-HE3-08 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Surface Mount SOT-23-3 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100nA @ 30V 1V @ 40mA 40V 5ns 125°C (Max) 1 Pair Common Anode 200mA Automotive, AEC-Q101
VS-43CTQ100STRLHM3 DIODE SCHOTTKY 100V 20A D2PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Schottky Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 100V 810mV @ 20A 100V -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 20A Automotive, AEC-Q101

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.