- Производитель
- Средний выпрямленный ток (Io)
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CFD4448 TR PBFREE | DIDE GEN PURP 120V 250MA SOD882L | Central Semiconductor Corp | |||||||||||||||
MBR200100CTS | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4 | Schottky | Screw Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 80V | 950mV @ 100A | 100V | -40°C ~ 175°C | 2 Independent | 200A (DC) | ||||
R2190 | STD RECTIFIER | Microchip Technology | |||||||||||||||
JANTXV1N5819UR-1 | SCHOTTKY | Microchip Technology | DO-213AB, MELF (Glass) | 1A | Schottky | Surface Mount | DO-213AB (MELF, LL41) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50µA @ 45V | 70pF @ 5V, 1MHz | 490mV @ 1A | 45V | -65°C ~ 125°C | Military, MIL-PRF-19500/586 | |||
BAT46GW,115 | RECTIFIER, SCHOTTKY, 0.25A, 100V | Nexperia USA Inc. | |||||||||||||||
QRS0660T30 | DIODE GEN PURP 600V 294A MODULE | Powerex Inc. | Module | 294A | Standard | Chassis Mount | Module | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 2mA @ 600V | 2.8V @ 600A | 600V | 110ns | |||||
1PS181,115 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | Surface Mount | SMT3; MPAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 80V | 1.2V @ 100mA | 80V | 4ns | 150°C (Max) | 1 Pair Common Anode | 215mA (DC) | |||
RB530VM-30TE-17 | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA UMD2 | Rohm Semiconductor | SC-90, SOD-323F | 100mA | Schottky | Surface Mount | UMD2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 10V | 450mV @ 10mA | 30V | 150°C (Max) | |||||
SD040SB100A.T | PIV 100V IO 1A CHIP SIZE 40MIL S | SMC Diode Solutions | Die | 1A | Schottky | Surface Mount | Die | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30µA @ 100V | 35pF @ 5V, 1MHz | 840mV @ 1A | 100V | -55°C ~ 175°C | ||||
BAT54CWFILM | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | STMicroelectronics | SC-70, SOT-323 | Schottky | Surface Mount | SOT-323 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 30V | 900mV @ 100mA | 40V | 5ns | -40°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 300mA (DC) | |||
SS215LHR3G | DIODE SCHOTTKY 150V 2A SUB SMA | Taiwan Semiconductor Corporation | DO-219AB | 2A | Schottky | Surface Mount | Sub SMA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 150V | 950mV @ 2A | 150V | -55°C ~ 150°C | Automotive, AEC-Q101 | ||||
LS103B-GS08 | DIODE SCHOTTKY 30V 15A SOD80 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOD-80 Variant | Schottky | Surface Mount | SOD-80 QuadroMELF | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 20V | 50pF @ 0V, 1MHz | 600mV @ 200mA | 30V | 10ns | 125°C (Max) | Automotive, AEC-Q101 | |||
VS-1EFU06-M3/I | DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-219AB | 1A | Standard | Surface Mount | DO-219AB (SMF) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3µA @ 600V | 1.2V @ 1A | 600V | 32ns | -55°C ~ 175°C | FRED Pt® | |||
BAS40-06-HE3-08 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Surface Mount | SOT-23-3 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 100nA @ 30V | 1V @ 40mA | 40V | 5ns | 125°C (Max) | 1 Pair Common Anode | 200mA | Automotive, AEC-Q101 | ||
VS-43CTQ100STRLHM3 | DIODE SCHOTTKY 100V 20A D2PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Schottky | Surface Mount | TO-263AB (D²PAK) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 100V | 810mV @ 20A | 100V | -55°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 20A | Automotive, AEC-Q101 |
- 10
- 15
- 50
- 100
Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.
В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.
Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).