• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
1N4933RL DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 onsemi DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 50V 1.2V @ 1A 50V 300ns -65°C ~ 150°C
1PS88SB48/DG/B2115 RECTIFIER DIODE Rochester Electronics, LLC
A115A RECTIFIER DIODE, 3A, 100V Rochester Electronics, LLC
RB055LA-40TR DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDT Rohm Semiconductor SOD-128 3A Schottky Surface Mount PMDT Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 40V 620mV @ 3A 40V 150°C (Max)
SCS210AJHRTLL DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB Rohm Semiconductor TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263AB No Recovery Time > 500mA (Io) 200µA @ 600V 365pF @ 1V, 1MHz 1.55V @ 10A 650V 0ns 175°C (Max) Automotive, AEC-Q101
SS15L DIODE SCHOTTKY 50V 1A SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 1A Schottky Surface Mount Sub SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400µA @ 50V 700mV @ 1A 50V -55°C ~ 150°C
SR005HR1G DIODE SCHOTTKY 50V 500MA DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 500mA Schottky Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 50V 80pF @ 4V, 1MHz 700mV @ 500mA 50V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
HS3J R7G DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB Taiwan Semiconductor Corporation DO-214AB, SMC 3A Standard Surface Mount DO-214AB (SMC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 50pF @ 4V, 1MHz 1.7V @ 3A 600V 75ns -55°C ~ 150°C
BYM11-600-E3/96 DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-213AB, MELF (Glass) 1A Standard Surface Mount DO-213AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 15pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1A 600V 250ns -65°C ~ 175°C SUPERECTIFIER®
S5M-E3/9AT DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AB, SMC 5A Standard Surface Mount DO-214AB (SMC) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 1000V 40pF @ 4V, 1MHz 1.15V @ 5A 1000V 2.5µs -55°C ~ 150°C
VS-80CPQ020-N3 DIODE STANDARD 20V 40A TO247AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-247-3 Standard Through Hole TO-247AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5.5mA @ 20V 460mV @ 40A 20V -65°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 40A
VS-80PFR160W DIODE GEN PURP 1.6KV 80A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-203AB, DO-5, Stud 80A Standard, Reverse Polarity Stud Mount DO-203AB (DO-5) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.46V @ 220A 1600V -55°C ~ 150°C
V40D120C-M3/I DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant Schottky Surface Mount SMPD Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 120V 890mV @ 20A 120V -40°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 20A eSMP®, TMBS®
BYM07-100HE3/98 DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-213AA (Glass) 500mA Standard Surface Mount DO-213AA (GL34) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 100V 7pF @ 4V, 1MHz 1.25V @ 500mA 100V 50ns -65°C ~ 175°C SUPERECTIFIER®
BAV103-IR08 DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 250mA (DC) Standard Surface Mount SOD-80 MiniMELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100nA @ 200V 1.5pF @ 0V, 1MHz 1V @ 100mA 200V 50ns 175°C (Max) Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.